靜電保護(esd)包裝選用的技術考量.pdf

量 立 ESD 行兩() 理論料 來兩不 不 料不 ESD 離0 (200V)度 料 ESD 了ESD 料理 料料 理 ESD 料來年 不 料(Antistatic) 料累料 料(Static Dissipative) (CDM)料 (ESDA)聯(EIA) 105 ~1012 Ω/sq料 料數了 不不說料 料(Conductive) 率 105 Ω/sq料 流連 例料(SAW)濾 路(IC)金( ) 連金(MOS) 料理易料料料 料料料不料 料什 ESD 料料不 料 料 料料(離) 料兩 說料不 說料料來料料 路(PWB)料 PWB 數料數料料料 料 不類(1)理 (2)料(3) 料 料 類料 料理不 料 度力 利 度來 更易了料 料更狀不 料 不更料 料料 料流 EIA ESDA料率 105~1012 Ω/sq料Bossard 105 Ω/sq量來類 率料力 率立路 (RC)數 -t/τ V(t) = V0 e V(t) V0t τ= RC數 力2 1% PWB 來說 50pF 數料料來說度 錄 料 率 1×105Ω/sq料料料料料 流連 流 兩 料 8000V 料HBM ( 50V) 行流 流不料了 流 (CDM) 1ns 流離 ESD 流流流料 連了 料了料()金 料() 105 Ω/sq料料 不CDM 4 Ω/sq料料CDM 10-10 1. (SMT)量 路(IC) 力 了IC 料 ESD ESD 立 不 ESD 不 離 10,000V 狀力立來 IC 料料 力 料來料 說 ESD 說 EIA541 類 了料 料 料 料 CDM 料 料CDM(150V)列 率 1~100Ω/sq料 4 數量降 10 Ω/sq料 降1 2. ESD 行 ESD MOSFET 了 留 留 不 不2 力 HBM 度200V 度 HBM 數 料 ESD 車列 料2500V 來 金 裂 理 2 料說不理料料 ESD 理 料數不料 度2 列料來 論 1.路(IC) 3 ICVS CC CD VD Unger不識 V /V 1:50 力 100V D S 5000V不 料金料IC Unger 料 更易流 2. 數料 料 料4 路料 路 行來路降 路行 路 1/2 離 降 量路 行滑 留 來說 4 3.() 料 不料 理數 惡劣 15,000-35,000 V 論 ESD 類 ESD ESD 類 3 理論 ESD 例 料 1.A 兩 行了 料 1 料離 來3 料 來度 2. B A 來3 B 不料 A 1 料料來 B 料不不兩料來路 料料 料了2 離 3 行 料 類料 105-1012 Ω不 離流 CDM A B 不 ESD 3.C 車易HBM 來便 不 路更C C 理 數料料2 離不 3 路 兩 度 數料( 100V)來 說 更料 理 ESD 料行料 a) ESD b) c) 料不5000V d) 數惡劣 e) CDM 不 f) HBM 料數料不理 料(HBM 狀) HBM 料 度不行 ESD CDM 料 g) 量路不料 ESD