第5章放大电路的频率响应第1节频率响应概述与晶体管的高频等效电路(487KB).pptVIP

5.1频率响应概述与晶体管的高频等效电路 一、频率响应的基本概念 二、放大电路的频率参数 三、晶体管的高频等效电路 四、场效应管的高频等效电路 一、频率响应的基本概念 1. 研究的问题： 放大电路对信号频率的适应程度，即信号频率对放大倍数的影响。 由于放大电路中耦合电容、旁路电容、半导体器件极间电容的存在，使放大倍数为频率的函数。 在使用一个放大电路时应了解其信号频率的适用范围，在设计放大电路时，应满足信号频率的范围要求。 放大电路中，由于耦合电容的存在，对信号构成了高通电路。 由于半导体管极间电容的影响，对信号构成了低通电路。 2. 基本概念（1）高通电路:信号频率越高，输出电压越接近输入电压。 （1）高通电路：频率响应 fL ffL时放大倍数约为1 （2）低通电路: 信号频率越低，输出电压越接近输入电压。 （2）低通电路：频率响应 fH 低频段放大倍数表达式的特点？上限截止频率的特征？ ffH时放大倍数约为1 （3）几个结论 ① 电路低频段的放大倍数需乘因子 ② 当 f=fL时放大倍数幅值约降到0.707倍，相角超前45o； 当 f=fH时放大倍数幅值也约降到0.707倍，相角滞后45o。 ③ 截止频率决定于电容所在回路的时间常数 电路高频段的放大倍数需乘因子 ④ 频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。 二、放大电路的频率参数 在低频段，随着信号频率逐渐降低，耦合电容、旁路电容等的容抗增大，使动态信号损失，放大能力下降。 高通电路 低通电路 在高频段，随着信号频率逐渐升高，晶体管极间电容和分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小，使动态信号损失，放大能力下降。 下限频率 上限频率 三、晶体管的高频等效电路 1. 混合π模型：形状像Π，参数量纲各不相同 结构：由体电阻、结电阻、结电容组成。 rbb’：基区体电阻 rb’e’：发射结电阻 Cπ：发射结电容 re：发射区体电阻 rb’c’：集电结电阻 Cμ：集电结电容 rc：集电区体电阻 因多子浓度高而阻值小 因面积大而阻值小 晶体管简化的高频等效电路 2. 电流放大倍数的频率响应 电流放大倍数的频率特性曲线 电流放大倍数的波特图: 采用对数坐标系 采用对数坐标系，横轴为lg f，可开阔视野；纵轴为 单位为“分贝” （dB），使得 “ ×” →“ ＋” 。 lg f 注意折线化曲线的误差 －20dB/十倍频 折线化近似画法 3. 晶体管的频率参数 共射截止频率 共基截止频率 特征频率 集电结电容 通过以上分析得出的结论： ① 低频段和高频段放大倍数的表达式； ② 截止频率与时间常数的关系； ③ 波特图及其折线画法； ④ Cπ的求法。 手册查得 * 本节课的教学目的： 1、理解为什么放大电路的频带不是无限宽，高通电路与低通电路分别具有什么样的频率响应，下限频率和上限频率分别具有什么特征，放大电路各频率参数的物理意义。 2、理解晶体管简化的单向化的高频等效电路是如何构造出来的，为什么要引入参数跨导，如何求解高频模型中的各参数。 3、晶体管有哪些频率参数，它们的物理意义是什么，如何得到这些参数。 3、从学习β以及高通电路和低通电路的频率响应，初步掌握放大倍数的一般表达式、截止频率与时间常数的关系、波特图及其折线化画法以及由此带来的误差。 * * 本节课的教学目的： 1、理解为什么放大电路的频带不是无限宽，高通电路与低通电路分别具有什么样的频率响应，下限频率和上限频率分别具有什么特征，放大电路各频率参数的物理意义。 2、理解晶体管简化的单向化的高频等效电路是如何构造出来的，为什么要引入参数跨导，如何求解高频模型中的各参数。 3、晶体管有哪些频率参数，它们的物理意义是什么，如何得到这些参数。 3、从学习β以及高通电路和低通电路的频率响应，初步掌握放大倍数的一般表达式、截止频率与时间常数的关系、波特图及其折线化画法以及由此带来的误差。 *