02DSP技术第二讲.pptVIP

DROM (Data ROM)：数据ROM位。控制片内ROM映射到数据存储空间。 DROM=0 片内ROM不能映射到数据空间。 DROM=1 片内ROM的一部分映射到数据空间。 CLKOFF (Clock Off)：时针输出并断位。 CLKOFF=0 C54的CLKOUT引脚有时钟输出。 CLKOFF=1 C54的CLKOUT引脚输出被禁止，保持为 高电平。 SMUL (Saturation on Multiplication)：乘法饱和方式位， C5402无此功能。 SST (Saturation on Store) ：存储饱和位，C5402无此功能。 状态寄存器ST0：主要反映寻址要求和计算的中间运行状态。 DP OVB OVA C TC ARP 15~13 12 11 10 9 8~0 ARP (Assistant Register Pointer)：辅助寄存器指针。由3位字段指定在间接寻址单操作数时所用的辅助寄存器号。当DSP处在标准方式时（CMPT=0），ARP必置成0. TC （Test Control Signal)：测试/控制标志位。保存ALU测试位操作结果，可由TC的状态（1或0 )决定条件分支转移指令、子程序调用以及返回指令是否执行。 C (Carry)：进位标志。加法进位时置1,减法借位时清0，当加法无进位或减法无借位的情况下，完成一次加法此标志位清0，完成一次法此标志位置1, 带16位移位操作的加法只能对它置1，而减法只能对它清0,此时加减操作规程不影响进位标志。 状态寄存器ST1：反映寻址要求、计算的初始状态设置、I/O及中断控制。 ASM CMPT FRCT C16 SXM OVM 0 INTM HM XF CPL BRAF 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4~0 BRAF (Block Repeat Action Flag)：块重复操作标志。指示当前是否在执行块重复操作， BRAF=0 表示当前不在进行块重复操作，当块重复计数器（BRC）减到低于0时，BRAF被子清0。 BRAF=1 表示当前正在进行块重复操作，当执行RPTB指令时，BRAF被自动置1。 CPL (Compiler mode)：直接寻址编辑方式标志位，指示直接寻址采用何种指针。 CPL=0 选用数据页指针（DP）的直接寻址方式， CPL=1选用堆栈指针（SP）的直接寻址方式。 XF (External Flag)：XF引脚状态控制位，表示外部标志（XF）引脚步的状态。XF引脚步是一个通用输出引脚，用RSBX或SSBX指令可对纟XF位复位或置位。 HM (Hold Mode)：介质方式位，当CPU响应HOLD信号时，HM指法示CPU是否继续执行内部操作。 HM=0 CPU从内部程序存储器取指令，继续执行内部操作规程，而将外部接口置成高阻状态。 HM=1 CPU暂停内部操作。 INTM (Interrupt Mode)：中断方式位，从整体上屏蔽或开放中断。 INTM=0 开放所有可屏蔽中断， INTM=1 关闭所有可屏蔽中断。 用RSBX和SSBX可对INTM位清0或置1；当处长位或执行可屏蔽中断时INTM置1；当执行一条RETE或RETF指令时INTM清0；INTM位不能用存储器写操作规程来设置，INTM不影响不可屏蔽中断（RS和NMI）。 * 第二讲 C5402的硬件结构—总线 一、 TMS320VC54X的主要特性 二、TMS320VC5402的组成框图 三、总线结构 四、存储器 PREFIX TMX= experimental device TMP= prototype device TMS= qualified device SMJ = MIL-STD-883C SM = High Rel (non-883C) DEVICE FAMILY 320 = TMS320 Family TECHNOLOGY C = CMOS E = CMOS EPROM F = CMOS Flash EEPROM LC = Low-Voltage CMOS (3.3 V) VC= Low-Voltage CMOS [3 V (2.5 Vor 1.8 V core)] UC= Ultra Low-Voltage CMOS [1.8 V(1.5 V core)] TMS 320 C 542 PGE PACKAGE TYPE? N = plastic DIP J = ceramic DIP JD = ceramic DIP side-bra