DC12V→AC220V逆变电路-中国电子网EC66com.PDF

中国电子网 转载 中国电子论坛 欢迎光临我们的网站 DC12V→AC220V逆变电路 这里介绍的逆变器（见图）主要由MOS 场效应管，普通电源变压器构成。其输 出功率取决于MOS 场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制， 适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。 工作原理 这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。 方波信号发生器（见图3） 中国电子网 转载 中国电子论坛 欢迎光临我们的网站 图3 这里采用六反相器CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改 善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容C1充放 电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为： fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率 fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值会略有差 异。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。 场效应管驱动电路。 图4 由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V，为充分驱动电源开 关电路，这里用TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V。如图4所示。 MOS场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应 管的工作原理。 中国电子网 转载 中国电子论坛 欢迎光临我们的网站 图5 MOS 场效应管也被称为 MOS FET， 既 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两 种。本文使用的为增强型MOS 场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型 PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N 沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其 源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出 的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以 认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也 是我们称之为场效应管的原因。 图6 为解释MOS 场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管 的工作过程。如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（