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第六章 PN结 P-N Junction 主要内容： 1、平衡PN 2、PN结V-I特性 3、PN结电容 4、PN结击穿 哈尔滨工业大学微电子科学与技术系 §6.1 PN结及其能带图 P-N Junction and its energy band diagram 主要内容： 1、PN结的形成及杂质分布 2、平衡PN结 ? 空间电荷区 ? 接触电势差 ?平衡PN结能带图 3、PN结内载流子分布 哈尔滨工业大学微电子科学与技术系 1、PN结的形成及杂质分布 （1）合金法 n-Si n-Si n-Si Al 硅-Al共熔体 Al p-Si 合金法制造PN结过程 合金结的杂质分布 xj x ND NA N(x) x xj ，N(x) = NA x xj ，N(x) = ND 哈尔滨工业大学微电子科学与技术系 （2）扩散法 n-Si n-Si n-Si SiO2 P型杂质 P-Si 扩散法制造PN结过程 扩散结的杂质分布 xj x ND NA（x） N(x) x xj ，NA ND x xj ，NDNA （3）离子注入法 哈尔滨工业大学微电子科学与技术系 Si Si SiO2 光刻胶 掩膜 Si Si Si Si 氧化光刻基本工艺过程 氧化生长一层SiO2 涂光刻胶：在氧化层上涂一层光刻胶（有正胶、负胶之分） 掩膜曝光：将掩膜板置于光刻胶上，利用特定波长的光通过掩膜板照射胶层。 腐蚀光刻胶 腐蚀SiO2层 去光刻胶 正胶 负胶 2、平衡PN结 （1）空间电荷区 N型半导体 P型半导体 空穴 受主离子 自由电子 施主离子 空穴扩散 电子扩散 扩散电流 内建电场 空穴漂移运动 电子漂移运动 漂移电流 空间电荷区：PN结附近电离施主与电离受主所构成的区域。 空间电荷：PN结附近电离施主与电离受主所带的电荷。 内建电场 PN结空间电荷区中的空间电荷产生的从N区指向P区的电场。 哈尔滨工业大学微电子科学与技术系 平衡时，J扩 = J漂，J总 = 0 （2）PN结接触电势差 x o P N vp vn Pp0 Pn0 杂质全部电离： 哈尔滨工业大学微电子科学与技术系 -xp xn （3）平衡PN结能带图 P N EC EFn EV EC EFn EV EC EV EFP EC EV EFP 哈尔滨工业大学微电子科学与技术系 qVD 电子 能量 空穴 能量 哈尔滨工业大学微电子科学与技术系 ECn EFn EVn ECP EVP EFP qVD 电子 能量 空穴 能量 平衡PN结具有统一的费米能级 P N xp xn - xp o x xn x V(x) qV(x) - xp o x xn x VD 本征费米能级 Ei 随位置 x 的变化 （3）平衡PN结的载流子分布 P N xp xn pp0 np0 pn0 nn0 p(x) n(x) xp xn x 问 题 空间电荷区中任一点x处 p(x) · n(x) = ? §6.2 PN结电流电压特性 V – I Characteristics of P-N Junction 主要内容： 1、非平衡PN结能带图 2、PN结电流电压方程 1、非平衡PN结 （1）PN 结正偏、反偏 哈尔滨工业大学微电子科学与技术系 P N P N P N 平衡PN结 正偏PN结 反偏PN结 （2）非平衡PN能带图 哈尔滨工业大学微电子科学与技术系 EC EFn EV EC EV EFP qVD 电子 能量 空穴 能量 q(VD-V) EC EFn EV EC EV EFP qVD 电子 能量 空穴 能量 q(VD+V) 2、理想PN结电流电压方程 （1）理想PN 结模型 小注入情况 突变耗尽层近似 耗尽层中无载流子的产生与复合 玻耳兹曼边界条件 （2）理想PN 结电流电压方程 式中， （3）PN结实际电流电压特性分析 势垒区的产生电流 势垒区的复合电流 大注入情况 表面复合 §6.3 PN结电容 P-N Junctio