氧化锌薄膜於半导体元件之应用-崑山科技大学.PDFVIP

氧化鋅薄膜於半導體元件之應用 計畫主持人 黃文昌 崑山科技大學光電工程系 摘 要 本文探討氧化鋅薄膜於半導體元件之應用；首先，探討摻雜鎵的n型氧化鋅與 p型矽 之接面接觸研究。藉由電流電壓測量，探討此- pn接面之電氣特性。結果顯示，在600℃ 退火時，可得到最佳之二極體截波特性。在變溫量測中，當量測溫度由 298 增到 373 K 時，能障高度可由 0.5 增到 0.64 eV ，而其理想因子則由1.65下降到 1.42 。 在第二部分中，以溶膠凝膠法及旋轉塗佈浸塗技術備製氧化鋅薄膜，再以真空蒸鍍 法備製蕭特基二極體。氧化鋅薄膜塗佈於矽基板後，經800℃、45秒快速退火處理而得 。銀氧化鋅蕭特基二極體製作完後分別於/ 200 、350°C快速退火處理。透過電流電壓量- 測中，可以觀察到退火 200及 350℃之蕭特基能障分別為0.78 及 0.84 eV ，理想因子分別 為 1.82及 1.74 ，在逆向偏壓為-3V時，其漏電流分別為 1.28及 0.12 mA 。另外我們也以諾 德方程式及 Cheung’s 方程式分別探討能障高度及串聯電阻效應。 關鍵字：氧化鋅、p-n接面、能障高度、銀、溶膠凝膠 一、前言 氧化鋅 (Zinc Oxide ，ZnO)是一種金屬氧化物材料，為 II-VI 族的 n 型寬能隙半導體材料 ，熔點約 1975 ℃具有較高的熱穩定性，且氧化鋅不溶於水及酒精，但能溶於酸鹼。氧化鋅 在常溫下為直接能隙半導體且具有較寬的能隙 (3.3 eV) ，此能隙特性可以在可見光區穿透、紫 外光 (UV)區吸收，所以常常被應用於短波長的光電裝置，例如 UV發光二極體或 UV 光感測 器等等 [1-5] 。未經摻雜之純氧化鋅薄膜，其電阻值相當高，為增加其導電性，除了材料本身 氧空缺提供載子 電子( )外，也可以藉由高價正離子的摻雜置換 Zn2+或低價的負離子置換 O 來獲得額外電子。氧化鋅在本質上面是屬於n型的半導體，藉由適當的摻雜，可以改變它的型 態。想要提昇其導電性，必須選擇可以取代鋅 (Zn)或者氧 (O)原子的雜質，像是Ⅲ族的硼、鋁 、鎵、和銦或者Ⅴ族的氮、磷、砷[6] 。 由於摻雜 p型雜質於 ZnO中在製成上仍有困難，以致在以 ZnO為基礎的發光二極體(Light Emitting Diode, LED)及雷射二極體 (Laser Diode, LD)之發展受到限制。然而若將n-ZnO沈積在p 型的半導體構成以 ZnO為主動層(active layer)之異質接面，則仍可在LED的元件中維持使用 ZnO之良好材料特性，而發展出良好發光特性的二極體。因此將n-ZnO沈積在其它的p型半導 體材料是實現以 ZnO為基底的p-n異質接面非常實際的方法。中在這類的 p-n異質接面研究中， 有許多的學者 [7-12]將ZnO沈積在Si, GaN, AlGaN, CdTe, GaAs..等不同的基板中。本實驗是利 用共濺射系統沉積摻雜鎵的 n型氧化鋅於 p型矽基板上，並探討其 pn接面特性。 在第二部分，我們利用所成長的 ZnO 薄膜，研究蕭特基二極體特性。在蕭特基二極體的 製作與研究中中，文獻上有Au/ZnO[13,14], Pd/ZnO[15,16], Pt/ZnO[17,18] 等論文之發表，由於 研究的並不多，所以仍有相當大的探討空間。而在我們的研究裡設計 Ag/ZnO這種結構，其中 Ag的功函數是 4.26 eV ，且為化合物半導體中普遍應用之材料。