半导体物理学简明教程陈治明第1章半导体的物质结构和能带结构2011章节(4985KB).ppt

西安理工大学电子工程系　马剑平 * Example Calculate the energy bandgap of germanium, silicon and gallium arsenide at 300, 400, 500 and 600 K. 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 砷化镓本征载流子浓度与温度的关系 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 2）等电子络合物的陷阱效应 在磷化镓中，当替换镓的锌原子与替换磷的氧原子处于相邻格点时，就形成一个电中性的Zn-O对（施－受主对）络合物。由于性质上的差异(氧的电负性为3.5，磷只有2.1), Zn-O对像等电子杂质氮一样，也能俘获电子。其能级在导带底以下0.30 eV。 氧 锌 镓 磷 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 3、 一价元素杂质 一价元素杂质一般在砷化镓中引入受主能级。 Ag有两条受主能级：EV＋0.11eV 和 EV＋ 0.238eV； Au有一条受主能级： EV＋ 0.09eV； Cu在砷化镓中既可以替位式存在，也可以间隙式存在。替位式铜产生两条受主能级： EV＋0.14 eV 和EV＋0.44 eV；间隙式铜产生的是一条浅施主能级： EC－ 0.07eV； Cu-Cu杂质对在砷化镓中引人深受主能级EV＋0.44 eV ； 间隙式锂离子引入激活能为0.023eV的浅受主能级。 Na在GaAs中也起施主作用，但没有人采用它作掺杂剂。 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 4、过渡族元素杂质 过渡金属一般在III-V族化合物中产生深能级。是受主还是施主无明显规律。例如在砷化镓中, 钒（V）产生一条深施主能级EC－0.22eV；铬、锰、铁、钴、镍均产生受主能级，其位置依次为 EV＋0.79、0.095、 0.52、 0.16 和 0.21eV。 类氢原子模型同样适合于计算化合物半导体中的浅能级杂质。算得GaAs中的浅施主杂质电离能为0.008eV，与实验测量值基本吻合。 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 三、化合物半导体中的缺陷能级 化合物半导体最容易因成分偏离正常化学比而形成空位。 1、空位的电导调制作用 M M X M M M M M M M M M M M M M X X X X X X X X X X X X M X M M M M M M M M M M M M X X X X X X X X X X X X X X 产生M空位形成 p 型 产生X空位形成 n 型 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 在一些离子性很强的II-VI 族化合物中，往往存在某种形成能很低、甚至比材料的禁带宽度还小的空位。这种材料的电阻率往往会受到这种低形成能缺陷的限制，难以再用掺杂方法加以控制，因为任何相反极性杂质的掺入，都将产生出等量的这种缺陷而将其补偿。 2、空位的杂质补偿作用 自补偿效应：在掺杂过程中产生与掺入杂质互为补偿的电活性缺陷（空位），从而使掺杂无效的现象。 西安理工大学电子工程系　马剑平 * ZnS 室温下的禁带宽度Eg 高达3.7 eV， 而其起施主作用的硫空位 VX 因形成能 ?H 仅为其禁带宽度的0.7倍, 很容易形成。 2、空位的杂质补偿作用 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 若极性不同的两种空位的形成能相差不大，则可通过空位类型的可控改变，实现材料导电类型的改变 若极性不同的两种空位的形成能相差很大，则形成能小的空位将对材料导电类型的调控起主导作用。特别是空位形成能比禁带宽度还小的半导体，会因为难以避免的杂质自补偿效应而成为单极性半导体 CdTe以外的II-VI族化合物大多是单极性半导体。这些材料有一些共同的特点，即熔点都比较高，其组成元素又往往具有比较高而不等的蒸气压，因此制备符合化学计量比的完美单晶体十分困难，而空位等晶格微缺陷的形成却比较容易。 2、空位的杂质补偿作用 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 四、宽禁带半导体中的杂质和缺陷能级 宽禁带半导体中杂质和缺陷的电离能一般都超过0.1eV，目前只发现纤锌矿氮化镓中的氮空位和占据镓位的Si是个例外，其电离能在0.01eV和0.03eV之间，氮只在3C-SiC和4H-SiC中发现有小于0.1eV的浅施主能级。其余杂质能级和缺陷能级皆为电离能较高的深能级（＞0.1eV）。因此，宽禁带半导体常使用电离能相对较小的深能级杂质做掺杂剂。 GaN使用Si 做n型掺杂剂，Si占Ga位时其能级在导带底以下0.012－0.02eV处；p型掺杂则只能使用能级相对较浅的Mg和Zn，Mg占Ga位时的能级在价带顶以上0.14－0.21eV处，Zn占Ga位时的能级在价带顶以上0.21－0.34eV处， 。 1、氮化镓（纤锌矿型）的掺杂剂 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 2、碳化硅