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? * ? 第四章 常用半导体器件原理 场效应放大器偏置电路 共源极放大器分析 孙肖子 西电丝绸之路云课堂 场效应管放大器 场效应管偏置电路 IDQ UGSQ 耗尽型MOS 一.自偏压电路 （只适用于结型和耗尽型管） 解析法： 将上式代入 下式, 求解 UGSQ及IDQ。 (舍去一个 不合理的 根)。 二. 分压式偏置(或混合偏置)电路 （适用于各种类型的场效管） ENMOS DNMOS NJFET 场效应管的低频小信号模型 简化 恒流区 该电路的性能指标分析如下： 场效应管放大器分析 与晶体管放大器类似，场效应管也有三种基本放大组态，即共源、共漏和共栅放大电路。 一、共源放大器 加RG3后： 共源放大器分析 当源极接有电阻或源极电容开路时的情况 谢谢收看和听讲, 欢迎下次再相见! 西电丝路云课堂 场效应管放大器偏置电路及共源放大器分析 ? * ? 第四章 常用半导体器件原理
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