模拟电子电路及技术基础（第三版）双极型晶体管极限参数及举例.ppt

四、晶体管的极限参数 1. 击穿电压 U(BR)CBO指e极开路时，c-b极间的反向击穿电压。 U(BR)CEO指b极开路时，c-e极间的反向击穿电压。 U(BR)CEOU(BR)CBO U(BR)EBO指c极开路时，e-b极间的反向击穿电压。普通晶体管该电压值比较小，只有几伏。 2. 集电极最大允许电流ICM β与iC的大小有关，随着iC的增大，β值会减小。 ICM一般指β下降到正常值的2/3时所对应的集电极电流。当iC ICM时，虽然管子不致于损坏，但β值已经明显减小。因此，晶体管线性运用时， iC不应超过ICM 。 3. 集电极最大允许耗散功率PCM PCM与管芯的大小、材料、散热条件及环境温度等因素有关。PCM在输出特性上为一条IC与UCE乘积为定值PCM的双曲线，称为PCM功耗线，如下图所示。 晶体管工作在放大状态时，在c结上要消耗一定的功率，从而导致c结发热，结温升高。当结温过高时，管子的性能下降，甚至会烧坏管子，因此有一个功耗限额。 PC =IC·UCE u C E i C 0 工 作 区 安 全 I C M P C M U (BR)CEO 击穿电压U(BR)CEO PCM =IC·UCE 为了确保管子有效安全工作，使用时不应超出这一工作区。 最大电流ICM 五. 温度对晶体管参数的影响 温度对晶体管的uBE、ICBO和β有不容忽视的影响。其中，uBE 、ICBO随温度变化的规律与PN结相同，即 温度每升高1℃， uBE减小（2 ~ 2.5）mV； 温度每升高10℃， ICBO增大一倍。 温度对uBE、ICBO和β的影响，其结果反映在输出特性曲线上，表现为温度升高曲线上移且间隔增大。 温度对β的影响表现为，β随温度的升高而增大，变化规律是：温度每升高1℃，β值增大0.5%~1%(即Δβ/βT≈(0.5~1)%/℃)。 ▲ ▲ ▲ ◎ 【例1】晶体管工作状态及放大状态下管型、电极的判别 一. 工作状态判别： 放大状态 饱和状态 截止状态 放大状态 [举例] 判别图示中晶体管的工作状态 【例2】 晶体管工作在放大状态下管型、电极的判别 1.根据放大管的电极电流判别 规律：电流从e极流出，从b、c极流入，则为NPN管； 电流从e极流入，从b、c极流出，则为PNP管； [举例] 判别图示中晶体管的管型、电极并确定β值。 e e e b b b c c c PNP型 NPN型 NPN型 β=4.9/0.1=49 β=1.98/0.02=99 β=3/0.05=60 2.根据放大管的电极电位判别 规律：e 结电压为0.7V时为硅管，0.3V时为锗管； c 极电位最高、e 极电位最低，则为NPN管； c 极电位最低、e 极电位最高，则为PNP管； e e e e b b b b c c c c 硅 PNP 硅 NPN 锗 NPN 锗 PNP [例] 判别图示中晶体管的管材、管型和电极。 谢谢收看和听讲, 欢迎下次再相见! 西电丝路云课堂 双极型晶体三极管极限参数及举例