基于保角变换法对V型槽电容传感器中静电场的相关计算.pdfVIP

黄山学院学报 2015 年 第 卷第 期 黄山学院学报 17 5 Vo1.17,NO.5 年 月 Journal of Huangshan University 2015 10 Oct.2015 基于保角变换法对V型槽 电容传感器中静电场的相关计算 江昌龙 （黄山学院 信息工程学院，安徽 黄山245041 ） 摘 要：针对一种特殊形状的超声波电容传感器单元的结构特点，采取适当的保角变换方法，通过多次 变换将特殊形状的电容传感器的静电场区域变换到容易求解的区域，并相应地求解出传感器传感单元的静 电容、场强分布和极板电荷密度等相关量，为提高传感器传感精度的设计奠定基础。 关键词：电容传感器；保角变换；坐标变换 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： TP212 A 1672-447X(2015)05-0014-04 0 引 言 [1] 文献 研究了一种称作为带有 型槽的超声波 V 电容传感器，传感器如图 （ ），传感单元如图 （ ）所 1 a 1 b 示的，图中是放大后的尺寸，实际尺寸是在微米数 （b ） 量级的。 此传感器的传感单元通过发射超声波并接 图 静电超声传感器模型及传感单元结构 1 收反射波，通过时间差来对障碍物的距离计算和定 [2] 位，发射和接收超声波的时候，都是要通过介质膜 对传感器实验测试结果 表明，理论计算还远 片的振动来实现的，而膜片的振动是由传感器中两 [3-4] [4] 没有达到要求。 在各种理论计算方法中 ，文献 采 电极之间的电场变化引起的。 在传感器的设计中为 用了平面极坐标系下的分离变量法计算该传感器 提高灵敏度和精度需要知道对传感器传感单元包 单元的静电容， 虽然分析了传感单元内实际电场、 括电容、 电极电荷密度等在内的静电场的精确计 电荷分布的特点，但是该算法计算气隙部分的顶角 算， 才能对膜片的振动弯曲作出正确的分析计算， 处的电容时取的是一个扇形半径，这对于电荷集中 为设计提供理论依据。 的“脊”部分电容误差是很大的。 为探讨更好更有说