电工学课件上05第8章.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * 第 8 章 半导体器件 8.1 半导体基础知识 8.2 半导体二极管 8.3 特殊二极管 8.4 双极型晶体管 8.1 半导体基础知识 （一）本征半导体 定义：纯净的具有晶体结构的半导体 晶体中原子的排列方式 单晶硅中的共价健结构 共价健 Si Si Si Si 价电子 Si Si Si Si 价电子 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。 本征半导体的导电机理 这一现象称为本征激发。 空穴 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。 自由电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 （二）杂质半导体 定义：渗入少量杂质的半导体 (1) P 型半导体 形成：向本征半导体中渗入少量的 3 价元素 特点：（a）含有大量的空穴——多数载流子 （b）含有少量的电子——少数载流子 Si Si Si Si B– 硼原子 接受一个电子变为负离子 空穴 (2) N 型半导体 形成：向本征半导体中渗入少量的 5 价元素 特点：（a）含有大量的电子——多数载流子 （b）含有少量的空穴——少数载流子 Si Si Si Si p+ 多余电子 磷原子 在常温下即可变为自由电子 失去一个电子变为正离子 （三）PN 结 (1) PN 结的形成 多数载流子的浓度差 多数载流子的扩散 空间电荷区 少数载流子的漂移 …… 扩散 = 漂移 形成稳定的 PN 结 注：PN 结的结电容很小 外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩散运动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN结处于导通状态。 (2) PN 结的特性 （a）PN 结外加正向电压 外加电场与内电场方向相同，增强了内电场，多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流 IR，因为是少子漂移运动产生的， IR很小，这时称PN结处于截止状态。 （b）PN 结外加反向电压 ◆ 结论： 加正向电压→导通 加反向电压→截止 单方向导电性 8.2 半导体二极管 （一）基本结构 按材料分 硅管 锗管 按PN结分 点接触型 面接触型 按用途分 普通管 整流管 …… P N 阳极 阴极 图 8.2.1 半导体二极管 （二）伏安特性 定义：二极管电流与电压之间的关系。 U I O UD U I O U I O A A B B 硅 锗 正向：死区（ OA 段）硅管约 0.5 V， 锗管约 0.2 V；正向导通区硅管 约 0.7 V，锗管约0.3 V。 温度增加，曲线左移 反向：截止区（ OB 段）I 近似为 0； 击穿区管子被击穿 图 8.2.2 半导体二极管的伏安特性 (a) 近似特性 (b) 理想特性 图 8.2.3 近似和理想特性伏安特性 （三）主要参数 (1)IF ：额定正向平均电流 (2)UF ：正向电压降 (3)UR ：最高反向工作电压 (4)Irm ：最大反向电流 以上各值是选择二极管的依据。 因通常使用二极管时应保证其工作在正向导通或反向截止状态，故认为二极管正偏则导通，反偏则截止 —— 单向导电性。 ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 例： 二极管的用途： 整流、检波、 限幅、钳位、开 关、元件保护、 温度补偿等。 ui 18V 参考点 二极管阴极电位为 8 V D 8V R uo ui + + – – (2) 主要特点：