半导体概论92第二学期第二次段考试卷解答.docVIP

註:本次測驗可使用非程式型工程計算器 壹、選擇題 (每題3分，共20題，合計60分)(答案請作答於下附答案格中) 1、( D ) 若有一交流電壓通過半波整流電路後的有效值是 (Ａ)3.18 V (Ｂ)6.36 V (Ｃ)7.07 V (Ｄ)5 V 解析： (Ｄ)已知 半波 2、( B ) 某中間抽頭式全波整流電路有100 V直流輸出，其二極體耐壓為 (Ａ)157 V (Ｂ)314 V (Ｃ)100 V (Ｄ)141 V 解析： (Ｄ)中間抽頭式全波整流電路中二極體的 ∵ ∴ 則PIV值 3、( D ) 超大型積體電路(VLSI)是指一個晶片中含有的元件數在 (Ａ)100個以下 (Ｂ)100個～1000個 (Ｃ)1000個～10000個 (Ｄ)10000個以上 解析： (Ｄ)VLSI是指一個晶片中含有10000個以上的零件數目。 4、( D ) 將脈動直流電壓轉換成一較平穩的直流電壓的電路稱為 (Ａ)放大電路 (Ｂ)截波電路 (Ｃ)整流電路 (Ｄ)濾波電路 解析： (Ｄ)濾波電路可以將脈動直流電壓轉換成一較平穩的直流電壓。 5、( C ) 電子學未來發展的趨勢是 (Ａ)電腦與通訊分離 (Ｂ)元件與通訊分離 (Ｃ)電腦、通訊與消費性電子產品結合 (Ｄ)通訊與工業分離 解析： (Ｄ)未來電子學發展的趨勢是電腦(computer)、通訊(communication)、消費性電子產品(consumer electronics)結合的3C時代。 6、( B ) 如圖所示，半波整流電路，求輸出的平均功率約為 (Ａ)15 mW (Ｂ)25 mW (Ｃ)35 mW (Ｄ)40 mW  解析： (Ｄ)已知，（有效值），求（有效值）。 ∵ ∴ 　　即（有效值） ∴變壓器次級圈的峰值電壓為 又 7、( C ) 下列何者非真空管的特性？ (Ａ)工作時會產生大量的熱 (Ｂ)消耗大量的功率 (Ｃ)體積小 (Ｄ)可靠度不佳 解析： (Ｄ)真空管的缺點為工作時會產生大量的熱、消耗大量的功率、可靠度不佳。 8、( D ) 橋式整流電路中，二極體之最大逆向電壓(PIV)為電源峰值的 (Ａ)2倍 (Ｂ)3倍 (Ｃ)倍 (Ｄ)1倍 解析： (Ｄ)橋式整流電路中二極體的 9、( D ) 電子學就是研究荷電質點在 (Ａ)絕緣體 (Ｂ)導體 (Ｃ)非導體 (Ｄ)半導體 內移動的科學與工程學 解析： (Ｄ)電子學係研究荷電質點在真空、氣體或半導體中移動的科學與工程學，但它並不包括荷電質點在金屬導體內的移動，此乃電工學的領域。 10、( C ) 通常用來測量110 V電壓的交流電壓表，其實際所測量的電壓為 (Ａ)峰值 (Ｂ)平均值 (Ｃ)有效值 (Ｄ)峰對峰值 11. 若將微量的銻雜質(五價元素)摻入矽晶體中，所形成的半導體稱為(A) P型半導體 (B) N型半導體 (C) 本質半導體 (D) 以上皆非。 12. 在同一材料中，電子與電洞移動的速度何者較快? (A) 電子 (B) 電洞 (C) 相同 (D) 不一定。 13. P型半導體的多數載子是電洞，少數載子是自由電子，因此P型半導體所帶電性為(A) 負電 (B) 正電 (C) 中性電 (D) 不一定。 14. P型半導體是在純半導體中摻入幾價元素? (A) 三價元素 (B) 四價元素 (C) 五價元素 (D) 以上皆可。 15. 一般外質半導體之本質與雜質摻雜濃度比約為 (A)108:1 (B)107:1 (C)l06:1 (D)105:1。 16. PN接面的空乏區中，只有 (A) 自由電子 (B)電洞 (C)正負離子 (D)自由電子與電洞。 17. 常溫時，鍺二極體的切入電壓約為 (A) 0.3V (B) 0.7V (C) 1V (D) 2V。 18. 當二極體接上逆向偏壓時，其空乏區寬度會 (A) 變小 (B) 變大 (C) 不一定 (D)不變。 19. 二極體加上逆向偏壓時，其逆向飽和電流與下列何者有關? (A) 外加逆向偏壓大小 (B) 外加順向偏壓大小 (C) 工作溫度 (D) 外加逆向偏壓的時間。 20.二極體不適合做 (A) 放大 (B) 整流 (C) 檢波 (D) 截波。 答案格: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20