单片机主要性能.docVIP

单片机主要性能： 具有高性能RISC CPU 仅有35条单字指令 除程序分支指令为两个周期外，期余均为单周期指令 运行速度：DC-20MHZ时钟输入 DC-200ns指令周期 8K*14个FLASH程序存储器 368*8个数据存储器（RAM）字节 256*8EEPROM数据存储器字节 引脚输出和PIC16C73B/74B/76/77兼容 中断能力（达到14个中断源） 8级深度的硬件堆栈 直接，间接和相对寻址方式 上电复位（POR） 上电定时器（PWRT）和振荡启动定时器（OST） 监视定时器（WDT），他带有片内可靠运行的RC振荡器 可编程代码保护 低功耗睡眠方式 可选择的振荡器 低功耗，高速CMOS FLASH/EEPROM工艺 全静态设计 在线串行编程（ICSP） 单独5V的内部电路串行编程（ICSP）能力 处理机读/写访问程序存储器 运行电压范围2.0V到5.0V 高吸入/拉出电流 250Ma 商用，工业用温度范围 低功耗： 在5V，4MHz时典型值小于2mA 在3V，32KHz时典型值小于20Ua 典型的稳态电流值小于1Ua 外围特征： TIMR0：带有预分频器的8位定时器/计数器 TIMR1：带有预分频器的16位定时器/计数器，在使用外部晶体振荡时钟时，在SLEEP期间仍能工作 TIMR2：带有8位周期寄存器，预分频器和后分频器的8位定时器/计数器 2个捕捉器，比较器，PWM模块；CCP1和CCP2 其中：捕捉器是16位，最大分辨率为12.5ns 比较器是16位，最大分辨率为200ns PWM最大分辨率为10位 10位多通道模/数转换器 带有SPI（主模式）和I2C（主/从）模式的SSP 带有9位地址探测的通用同步异步接收/发送器（USART/SCI） 带有RD，WT和CS控制（只40/44引脚）8位字宽的并行从端口 带有将压复位的将压检测电路 INDF： 地址：00H 80H 100H 180H 它们互相映射，物理上并不真正存在的虚拟寄存器 PCL： 地址：02H 82H 102H 182H 程序计数器PC指针宽13位的低8位。数据信息可读写，和PCLATH构成程序指针。 STATUS：状态寄存器 地址：03H 83H 103H 183H 它们互相映射 各位含义如下： BIT0/C： 进位/借位标志，被动参数 0：执行加法（或减法）指令时，如果高位无进位（或有借位） 1：执行加法（或减法）指令时，如果高位有进位（或无借位） BIT1/DC：辅助进位/借位标志，被动参数 0：执行加法（或减法）指令时，如果低4位向高4位无进位（或有借位） 1：执行加法（或减法）指令时，如果低4位向高4位有进位（或有借位） BIT2/Z： 零标志，被动参数 0：算术或逻辑运算结果不为0 1：算术或逻辑运算结果为0 BIT3/ ：降耗标志，被动参数 0：休眠指令执行后 1：上电或看门狗清0指令执行后 BIT4/ ：超时标志，被动参数 0：看门狗发生超时 1：上电或看门狗清 0指令或休眠指令执行后 BIT6~BIT5/RP1~PR0：RAM 数据存储器体选位，仅用于直接寻址，主动参数。 两位复位选择RAM数据存储器的4个体，具体关系如下： RP1，RP0=0 0 选中体0 RP1，RP0=0 1 选中体1 RP1，RP0=1 0 选中体2 RP1，RP0=1 1 选中体3 BIT7/IRP: RAM数据存储器体选位，仅用于间接寻址，主动参数 0：选择数据存储器低位体，即体0（FSR的BIT7=0）或体1（FSR的BIT7=1） 1：选择数据存储器高位体，即体2（FSR的BIT7=0）或体3（FSR的BIT7=1） FSR： 地址：04H 84H 104H 184H a.与INDF寄存器配合，实现间接寻址，当访问INDF地址时，应该是访问以FSR内容为地址所指向的数据存储器RAM单元。 b.在间接寻址中，体选码由STATUS的IRP为和FSR寄存器的BIT7组成，体内单元地址来自FSR的低7位。（STATUS的BIT6~BIT5的功能，见上·） PORTA：地址： 05H 注意：只有当对ADCON1进行设置后才能用作为数字量输入/输出引脚。一共有RA5~