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浙江省2012年7月自学考试线性电子电路试题 课程代码：02340 一、填空题(本大题共10小题，每小题1分，共10分) 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 1．理想二极管截止时认为是____________的。 2．晶体三极管的____________电流最大，而基极电流最小。 3．设某二极管反向电压为10V时，反向电流为001μA，在保持反向电压不变的条件下，当二极管的结温升高10℃，反向电流大约为____________。 4．杂质半导体中的多数载流子的数量由____________决定，几乎与温度无关。 5．结型场效应管的栅源之间通常加____________电压，因此栅极电流很小。 6．集成运放构成的几种电压比较器中，抗干扰能力最强的是____________比较器。 7．理想集成运算放大器的共模抑制比KCMR为____________。 8．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，输出电阻为1kΩ，在输入电压不变的情况下接入1kΩ的负载电阻，则输出电压下降为____________V。 9．通常将开始形成____________所需的VGS称为开启电压，用VGS（th）表示。 10．放大电路的中频电压增益为40dB，在上下限截止频率处，实际增益为____________dB。 二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．理想情况下，根据PN结的伏安特性，正偏电压增大时，将使( ) A．正向电流增大 B.正向电流减小 C.反向饱和电流增大 D.反向饱和电流几乎不变 2．晶体三极管的参数gm是表示正向受控作用的增量电导，即表示____________的控制。( ) A．vbe对集电极电流ic B.vbe对发射极电流ie C.vbe对基极电流ib D.发射极电流ie对集电极电流ic3．如题二（3）图所示的共发放大电路，当RB减小，可能引起的非线性失真为( ) A．幅度失真B.相位失真 C.截止失真D.饱和失真 4．二极管工作在导通状态时，其伏安特性近似为____________关系。( ) A．线性 B.对数律 C.指数律 D.平方律 5．某硅晶体三极管的直流电位如题二（5）图所示，则三极管的工作状态为( ) A．放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.击穿状态 6．电流串联负反馈放大电路对输入、输出电阻的影响是( ) A．输入电阻减小、输出电阻减小 B.输入电阻减小、输出电阻增大 C.输入电阻增大、输出电阻减小 D.输入电阻增大、输出电阻增大 7．集成运放输入级为减小温漂对直接耦合放大器的影响，一般采用____________电路。( ) A．恒流源 B.差分放大 C.共集电极 D.共发射极 8．设差模电压vid=40mv和共模电压vic=30mv，则输入信号vi1、vi2为( ) A．vi1=50mv，vi2=10mv B.vi1=70mv，vi2=-10mv C.vi1=35mv，vi2=-5mv D.vi1=55mv，vi2=-25mv 9．NPN和PNP型晶体管的区别取决于( ) A．半导体材料硅和锗的不同 B.掺杂元素的不同 C.掺杂浓度的不同 D.P区和N区的位置不同 10．下列所示各种元器件中，属于线性电子电路中有源器件的是( ) A．独立电压源 B.变压器 C.场效应管 D.晶体二极管 11．电路如题二（11）图所示，其中____________是微电流源电路。( ) 12．负反馈放大电路的开环增益是A，反馈系数为kf，则反馈深度的表达式是( ) A． B.1Akf C.Akf D.1+Akf 13．集成运放组成的同相比例放大器属于____________负反馈。( ) A．电压并联 B.电压串联 C.电流串联 D.电流并联 14．N沟道增强型MOS管工作在截止区的条件是____________，因沟道未形成，因而ID=0。( ) A．VGSVGS(th) B.VGS≥VGS(off) C.VGS＜VGS(th) D.VGS＜VGS(off) 15．设计一运算电路将周期性的方波电压变换为三角波电压，可采用____________实现。( ) A．同相放大电路 B.反相放大电路 C.积分电路 D.微分电路 三、简答题(本大题共3小题，每小题5分，共15分)1．试设计一二极管双向限幅电路，使其在正弦波电压作用下的输出波形如题三（1）图所示，设二极管是理想的，试画出电路图，并标出各参数的值。 2．题三（2）图所示为场