离子布植的阻滞现象分成1.pptVIP

電子阻滯力 晶片中的電子雲或自由電子作用在入射離子上的作用力， 屬於非彈性碰撞。 電子被撞擊後，被撞離開軌道，並以輻射出X-光來釋放被 撞擊的能量，減低本身的能量，稱為電子阻滯力。 由於電子很輕(約等於中子質量的1840分之一) ，所以撞擊 並不會改變離子的方向，而且離子損失的能量也很少。 入射離子會發生的機制為主，是由入射離子的能量與質量 來決定的；一般，高能量以電子阻滯為主，因為入射的離 子能量強，所以速度快，還來不及碰到原子核時，就已經 跑掉了。而低能量則是以原子核阻滯為主。 原子核阻滯力-1 q M1 E0 V0 M2 M2 M1 V1 V2 R：離子停止前所走的距離 Rp：投影射程 M1：離子的質量 M2：矽原子的質量 利用動能不滅與動量不滅定律，假設以正面碰撞來考慮： ·········傳給M2的能量 原子核阻滯力-2 右圖是砷、硼與磷在矽 晶圓中，對不同的入射 能量的原子核阻滯力能 量損失。 重原子核 (入射離子) 有 比較大的原子核阻滯力 。 原子核 電 子 0 200 400 600 800 1000 1500 1000 500 0 能量損失(eV/nm) 能量(eV) 700keV