有几个问题不大明白.docVIP

Sometimes兄： 您好！ 有几个问题不大明白，想向你请教： 首先还是饱和的问题，通过知道，如果在开关导通周期内，伏秒数的积分超过饱和磁密，磁芯就会饱和，造成磁导率急剧下降，电感下降，激磁电流急剧增大等等；也就是说，假如匝数太少，导通时间又比较大，是很有可能饱和的，是吗？（是的）同时，单位面积每匝的电压过高，也就是磁摆幅过大，磁滞损耗和涡流损耗都会很大。（对阿，也就是每个周期的损耗就会较大）最近老师设计了一个电源，是双极性spwm正弦波输出，半桥拓扑，输出电感电容滤波，就我估计，输出滤波电感磁芯磁导率很高，绕了20来匝电感量就达5.6mH，半桥直流输入端最高电压有560v之高，spwm脉冲波的频率是10khz，电源输出正弦波频率为工频。在一次试验时，输入电压加到400多伏特，把mosfet和exb841都给烧了，我估计是饱和导致的；而老师说只要安匝数满足就不会饱和。我们知道I×N=H×L，同时B＝u×H，如果安匝数比较小，于是H小，虽然磁导率很高，但还不会达到饱和。这种解释和从伏秒数的角度来解释是殊途同归的吗？（这个是相互关联的，当然如果N小，你能保证I也小，就没问题，但是你不能保证I也小就会出问题）还有就是输出峰值一直上不去，这与滤波电感大有关系吗？这电感上会降去许多压降吗？如果匝数少了，磁通摆幅大，这个摆幅是指工频周期上的摆幅还是spwm周期上的摆幅啊？这个摆幅大会导致磁芯