宁夏回族自治区拟推荐2017年国家科学技术奖励候选.docVIP

附件 宁夏回族自治区拟推荐2017年度 国家科学技术奖励候选项目及相关内容 拟推荐国家技术发明奖1项“极大规摸集成电路用高纯钽、铜靶材研发与产业化”，国家科学技术进步奖2项分别为“大型能源基地交直流密集电网安全外送关键技术及新型装备 一、极大规摸集成电路用高纯钽、铜靶材研发与产业化 （一）项目基本情况 推荐单位(盖章) 或推荐专家 项目 名称 极大规摸集成电路用高纯钽、铜靶材研发与产业化 公布名 主要完成人 钟景明，姚力军，熊晓东，汪 凯，王学泽，何金江，王 莉，周友平，王兴权 ，李兆博 项目密级 定密日期 保密期限(年) 定密机构() 无 学科分类名称 1 特种功能金属材料 代码 4304050 2 有色金属材料轧制工艺与技术 代码 4506215 3 代码 所属国民经济行业 其他稀有金属冶炼 领域 制造业 任务来源 国家计划:其它 具体计划、基金的名称和编号：国家重大科技“02”专项《极大规模集成电路300mm硅片工艺用溅射靶材研发与产业化》 （2009ZX02031） 750811320-2009ZX02031/01 授权发明专利（项） 授权的其他知识产权（项） 项目起止时间 起始：年月 日 完成：年月日 该项目属金属材料技术领域。 集成电路是现代信息技术产业高速发展的原动力，已高度渗透与融合到国民经济和社会发展的各个领域，其技术水平和发展规模成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志。随着集成电路集成化程度越来越高，晶体管尺寸也越来越小，集成电路从10μm 制程包含有 2300 个晶体管开始，到 90nm、65nm 制程包含多达 17.2 亿个晶体管，其制造技术的飞跃发展对材料提出了更高的要求。当制程进入到180nm后，国际先进的半导体制造商设计试验铜互连代替铝互连，相应的扩散阻挡层材料由钛设计成钽，从此高纯钽、铜金属在集成电路制造上开始得到应用。掌握集成电路用 4N5 钽、6N 铜材料的冶金和靶材制造技术的国家只有美国和日本，我国此项技术和产品严重受制于发达国家。 在“02 国家重大科技专项”的支持下，该项目“300mm 硅片工艺用溅射靶 材研发与产业化”（2009ZX02031）实现了如下创新：1）发明了钽、铜靶材晶粒尺寸及织构控制关键技术，实现了晶粒尺寸、形状和织构可控，钽、铜靶材晶粒尺寸和织构的均匀性均优于美国和日本企业的控制水平。2）攻克了4N5 钽的湿法净化、双项（反应物和还原剂）可控搅拌钠还原、高温蒸发提纯技术，6N 铜电解提纯和真空熔铸制备技术，解决了钽中铌、钨、钼及铜中银等杂质去除的关键技术难题，纯度均满足客户要求的同时，这些杂质含量低于美国或日本 公司水平。3）创新大面积异种金属焊接方法，解决了焊接工件材料之间原子扩散界面、材料应力变形及组织变异问题，有效提高了靶材和背板之间的结合强度，且焊接结合率大于 99%，和美国、日本公司处于同一技术水平。4）发明了适用于低硬度高纯金属靶材和钽环件的高精加工技术，解决了钽、铜高纯金属 在加工过程中容易发生应力变形的问题；设计多种专用工装和刀具，提高了定位及加工精度，保证了产品形位公差和表面质量，与国际同行技术水平相同。 通过以上创新，实现了集成电路用高纯钽、铜金属从原料到成品靶材制备的国产化，产品经中芯国际 90nm-65nm 制程认证，溅射薄膜颗粒、膜厚、方块 电阻、单位时间刻蚀度、反射率、电性能、可靠性和使用寿命等指标均满足要求，并得到了台积电、中芯国际、日本东芝等客户的批量使用。申请国内外专利60 项，其中授权发明专利 43 项、制定行业标准 7 项。 项目的完成打破了发达国家对集成电路用高端靶材的垄断，建立了我国民族半导体工业的产业链，提升了我国在集成电路制造用材料的核心竞争力和国际地位，具有良好的社会效益。建成了年产 150 吨 4N5 钽原料和 30 吨高纯钽靶 坯生产线，100 吨 6N 铜原料和 3000 块高纯铜靶生产线以及年产 50000 块各类半导体溅射靶材生产基地,累计实现销售额 5.8 亿元，新增利润 1.12 亿元，出口 5165 万美元，全线达产后可实现年销售额 20 亿元以上。项目开发的晶粒尺寸、 织构控制、大面积异种金属焊接及高精加工技术已应用到集成电路用铝、钛、 镍、钨、钴及平面显示和太阳能等靶材技术领域，可实现 100 亿元以上销售额。 二、大型能源基地多直流密集电网安全外送关键技术及新型装备 推荐单位(盖章) 或推荐专家 项目 名称 大型能源基地交直流密集电网安全外送关键技术及新型装备 公布名 关键技术及新型装备 艾绍贵、丁茂生、刘志远、黄永宁