电工电子教案72晶体管ppt.ppt

第七章 模拟电路 第二节 晶体管 第二节 晶体管 【学习目标】 1．了解晶体管的结构、参数、型号及种类 ； 2．掌握晶体管的电流放大作用 ； 3．理解晶体管的伏安特性曲线。 【重点难点】 晶体管的电流放大作用的掌握和理解晶体管的伏安特性曲线 一、晶体管的结构 1.晶体管的结构 1）结构 晶体管的结构 2）晶体管的类型 二、晶体管的电流放大作用 二、晶体管的电流放大作用 三、晶体管的伏安特性曲线 1.输入特性曲线 晶体管的伏安特性曲线 晶体管的伏安特性曲线 四、晶体管的主要参数 【例题】 若测得工作在放大状态的三个晶体管的三个电极对地电位V1、V2、V3分别为下述数值，试判断它们是硅管还是锗管？是NPN型还是PNP型？并确定c、b、e极。 (1) V1 = 2.5V V2 = 6V V3 = 1.8V (2) V1 = -6V V2 = -3V V3 = -2.7V 【例题解析】 解：(1) 由于U13 = V1- V3= 0.7V，故该管为硅管，且1、3管脚中一个是e极，一个是b极，则2脚为c极。又因为2脚电位最高，故该管为NPN型，从而得出1脚为b极，3脚为e极。 (2) 由于∣U23∣= 0.3V，故该管为锗管，且2、3管脚中一个是e极，一个是b极，则1脚为c极。又因为1脚电位最低，故该管为PNP型，从而得出2脚为b极，3脚为e极。 【课堂小结】 一、晶体管的结构及电流放大作用 1．晶体管的结构：3个极、3个区、2个结 2．晶体管的类型：PNP型和NPN型 3．放大作用的条件及实质 二、晶体管的伏安特性曲线及主要参数 1．输入特性曲线：类似于二极管 2．输出特性曲线：三个工作区 3．主要参数：5个 【课后作业】 1．教材中复习思考题第7、9题； 2．《电工电子技术及应用学习指导与练习》第七章第一题11、12、13、14。 * 晶体管有三个区：集电区、基区、发射区； 晶体管有二个结：集电结、发射结； 晶体管有三个极：集电极、基极、发射极，分别用c、b、e表示； 晶体管可分为PNP型和NPN型两大类； PNP型和NPN型晶体管的工作原理相同，但工作电压极性和电流流向相反。 晶体管的文字符号是VT 1.具有放大作用的条件 三极管实现电流放大的外部偏置条件：发射结正偏，集电结反偏； 三极管实现电流放大时，各电极电位之间的关系是： NPN型 VC＞VB＞VE PNP型 VC＜VB＜VE 2.电流的分配及放大作用 发射极电流等于基极电流和集电极电流之和； 基极电流远小于集电极电流，发射极电流近似等于集电极电流； 微小的基极电流变化量ΔIB控制较大的集电极电流变化量ΔIC [动画演示]：三极管内的电流分配 [动画演示]：三极管的电流放大作用 输入特性曲线是集-射电压UCE一定时，基极电流IB随基-射电压UBE变化的关系曲线 ； 晶体管的输入特性曲线与二极管正向特性曲线相似 。 [动画演示]：三极管的输入特性 1)输出特性曲线 输出特性曲线是指基极电流IB为某一固定值时，输出回路中集电极电流IC与集-射电压UCE的关系曲线； 晶体管的输出特性曲线是一个曲线族。 2.输出特性曲线 [动画演示]：三极管的输出特性 2）输出特性曲线的三个工作区 截止区：IB=0曲线以下的区域称为截止区；工作在截止区的条件是发射结反偏，集电结反偏。 饱和区：指UCE较小（UCEUBE）的区域，包括曲线的上升和弯曲部分；工作在饱和区的条件是发射结和集电结均正偏。 放大区：各条曲线的平直部分组成的区域称为放大区，三极管工作在放大区的条件是：发射结正偏，集电结反偏。 共发射极直流电流放大系数 ：一般选用30～100为宜； 集﹣射极反向漏电流ICEO：又叫穿透电流。ICEO越小，管子越稳定，噪声越小； 集电极最大允许电流ICM ：当IC超过一定值时，β值就要下降； 集﹣射极反向击穿电压U(BR)CEO ： 如果UCE＞U(BR)CEO，晶体管将会被击穿而损坏； 集电极最大允许耗散功率PCM ：管子工作的实际功率应小于PCM。 第二节 晶体管 第二节 晶体管 第二节 晶体管 第二节 晶体管