集电结反偏。电子与信息工程学院电子与信息工程学院iB=fvBE.pptVIP

1.BJT的构造核心 2、外部条件 电子与信息工程学院 电子与信息工程学院 （2）恒压降模型 （3）折线模型 （4）小信号模型 （1）理想模型 （1）整流电路 （2）限幅电路 （3）开关电路 ? I （4）低电压稳压电路 齐纳二极管(稳压二极管) 4.1 BJT 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 基本共射极放大电路 4.6 组合放大电路* 4.7 放大电路的频率响应* 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 4.1.3 BJT的V－I特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 常见晶体三极管外形及引脚排列 (a) 小功率管 (c)中功率管 (d)大功率管 三极管 档位 判断类型和各个引脚，如果插入正确，显示β值，否则无显示值。 一块有两个相互联系的PN结单晶；示意图如下: e:发射极 b:基极 c:集电极 发射结 发射结 集电结 集电结 发射区 发射区 基区 基区 集电区 集电区 　 c b e PNP 　 e b c PNP 　 　 c b e PNP e c b NPN 发射区的掺杂浓度最高； 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； 基区很薄，一般在1～2微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 ++ 外加电压，载流子流动 IE=IB+ IC 发射结正偏，集电结反偏 1、结构特点：内部条件 ? 和? 与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关。一般 ? = 0.9?0.99 ，? 1（10-200）查器件手册或测量。 ? 是所加信号频率的函数，信号频率高到一定程度时， ? 不但数值下降，且产生相移，使? 数值下降到1的信号频率称为特征频率fT。 电流控制器件 IE=IB+ IC 集电极电流放大系数? 基极电流传输系数? 思考1：可否用两个二极管相连构成一个三极管？ 思考2：可否将e和c交换使用 思考3：外部条件对PNP管和NPN管各如何实现？ e c b N P N 　 c b e N P P ++ 若 ?vI = 20mV 电压放大倍数 使 ?iE = -1 mA ?vO = -?iC? RL = 0.98 V 当 ? = 0.98 时 ?iC = ? ?iE = -0.98 mA 则 IE=IB+ IC IC=βIB IC=αIE (c) 共集电极接法:集电极作为公共电极，用CC表示。 (a) 共基极接法:基极作为公共电极，用CB表示； (b) 共发射极接法:发射极作为公共电极，用CE表示； 无论哪种连接方式，要使BJT有放大作用， 都必须保证发射结正偏，集电结反偏。 iB=f(vBE)? vCE=const 1. 输入特性曲线 工作在放大状态的条件： vCE≥1V （以共射极放大电路为例） (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 饱和区：特征－IC明显受VCE控制。该区域内，IC和IB不服从β倍关系。此时发射结正偏，集电结正偏。 截止区：特征－IC接近零。该区域相当IB=0的曲线下方。此时，发射结反偏或正偏电压很小，集电结反偏。 放大区：特征－IC平行于VCE轴。该区域内，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 2. 输出特性曲线 iC=f(vCE)? iB=const 临界饱和 临界放大 小功率管 　　测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。 (1) VC＝6V，VB＝0.7V，VE＝0V VBE＝0.7V；VCB＝5.3V。 放大区域 (2) VC＝6V，VB＝2V，VE＝1.3V VBE＝0.7V ；VCB＝4V。 放大区域 (3) VC＝6V，VB＝6V，VE＝5.4V VBE＝0.6V；VCB＝0V。 饱和区域 VBE＝0.4V；VCB＝2V 。 截止区域 (4) VC＝6V，VB＝4V，VE＝3.6V (5) VC＝3.6V，VB＝4V，VE＝3.4V VBE＝0.6V；VCB＝-0.4V。饱和区域 电路如图所示，设运放是理想的，求出三极管的c、b、e各级的电位值及其电流放大系数β的值。 解：利用虚短、虚断概念有： 则三极管c、b、e各电极电位分别为 VB=0V，VE= - 0.7V，VC=6V  电流放大系数 vn1=vp1=6V，vn2=vp2=0V (1) 集电极最大允许电流ICM 当iC过大时，β值将下降。β值下降到一定的iC即为ICM。 　当工作电流iC大于ICM时，BJT不一定会烧坏，但β值将过小，放大能力太差。