非线性电路微波与射频讲义.ppt

Power Amplifier Power Amplifier Power Amplifier Power Amplifier Power Amplifier Power Amplifier Power Amplifier Power Amplifier 1.无线电系统对发射机效率提出了更高要求。 2.提高效率的途径：宽禁带半导体器件、器件与电路工艺和高效率放大器电路。 3.发射机的功耗主要在功率放大器， 不同发射机功放功耗约占整机60%~90%。 4.功放效率的提高对延长电池寿命，增加发射功率，散热，减小体积重量起决定作用。 D类放大器电路 F类放大器工作状态 在C类放大器中，输出网络谐振于输入信号的基波和一个或者多个高次谐波上就是F类放大器，F类功率放大器利用电抗终端阻抗的特性改变开关电流和电压的波形，从而提高了功率放大器的功率效率。 逆F类功率放大器 Doherty技术 保持线性度条件下，提高效率的方法: 控制电路提高效率并结合数字预失真: Kahn包络分离与恢复技术、 极化调制、包络跟踪、简单的电路结构: Doherty技术 小 结 A类放大器的线性度很好，但是效率却是最低的 。 B类放大器的效率通过减少功率管的导通时间得到了提高。 D类功率放大器依靠两个功率管相互交替导通实现电流电压波形不会同时出现，从而理想最大效率可以到达100%。但是开关速度影响了D类放大器的效率。 E类放大器解决了导通过程中的功率耗散问题，但是在实际中却由于器件的非理想因素以及在导通和截止的过渡中产生了更多的功耗。 F类功率放大器使用1/4波长传输线和具有高品质因数的谐振回路相串联来实现。虽然实际的硬件实现理想谐波阻抗条件是不可能的，用若干个电流和电压分量峰化，应该可以实现功率放大器的高效率工作。由高阶谐波分量构成并提供的电压波形愈平坦，由输出电流引起的功率耗散越小。 3、预失真 NG PA 输入 输出 分数字预失真和模拟预失真，结构相对简单，成本低，能改善十多dBc，常用于小型移动通信终端。预失真器可在中频实现。 4、前馈法 PA NG + = 输入 输出 NG PA 输出 电路结构复杂，成本高，改善大，可达60dBc，常用于基站。 微波功放线性化技术 §9.5 功率放大器线性化技术 一、前馈线性化技术 微波功放线性化技术 微波功放线性化技术 微波功放线性化技术 前馈线性化技术应用于1.885GHZ的功率放大器，输出功率为37dBm，功率增益为37dB，平坦度为1dB，在30MHz工作频带内相位变化5°。使用MRF6404器件，在双音测试信号测量下，功率放大器的三阶互调分量仅为-24 dBc。结果，第一个线性化环抵消性能为45 dB，实行前馈功率放大器后，三阶互调分量减小到-61 dBc。 微波功放线性化技术 二、预失真线性化技术 微波功放线性化技术 一个X波段多载波4.5W的功率放大器，线性化器的输入为22dBm，线性化器12 dBm输出时的相位偏移达-10°。 微波功放线性化技术 所要求的振幅和相位的特性是由于GaAs MESFET跨导gm，栅-源电容Cgs和漏电-源电导Gds的非线性来实现的。对于具有栅极宽度1.2mm，在Ls=20nH时，gm的非线性贡献的是正的幅度偏移。同时，只要Ls≥3NH，gm和Gds的非线性贡献是负的相位偏移。 应用这种技术到1.9GHZ具有1dB压缩功率为17 dBm的MMIC功率放大器，当使用Ω /4相移正交相位键控信号（QPSK）时，可以实现改善ACPR达7dB。 微波功放线性化技术 只有使用具有零漏-源偏置电压的源-地MESFET器件，才有可能实现正规的幅度和负的相位偏移 微波功放线性化技术 在1.9GHZ的MMIC功率放大器中，应用这种线性化器，对QPSK调制信号可实现ACPR改善高达5dB。 微波功放线性化技术 微波功放线性化技术 微波功放线性化技术 高效率微波功放技术 几种重要半导体材料的基本参数 高效率微波功放技术 主要类型 E D A E类电路 F类电路 D类电路 逆F类 Doherty 高效率微波功放技术 核心在于使功率管工作在开关状态 高效率微波功放技术 高效率微波功放技术 D类放大器波形图 开关工作状态，强激励到一个晶体管全通，另一个全截止。全导通晶体管的管压降Vceo 很小，全截至晶体管的电流Ic极小，因此管耗很低。输出端由谐振电路取出基波D类放大器的理想效率可以达到为100% E类放大器工作状态 获