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26M BT省晶体的方案验证
BT 26M省晶体方案验证
—RDA5868+省晶体验证
一、 省BT晶体硬件修改
二、 省BT晶体驱动修改
三、 省BT晶体功能测试
四、 省BT晶体耗电流测试
五、 省BT晶体性能参数测试
省BT晶体硬件修改
使用RDA5868+ BT芯片时,省BT晶体是通过Transceiver XOUT给BT提供26M时钟信号并通过BT XEN_OUT连接到一个带中断功能的GPIO口,致使待机后可用中断方式通过BB来唤醒Transceiver 26MZ,验证实验使用M802机子用GPIO17作为中断GPIO口实现。
图一、BT外接晶体硬件连接图
图二、省晶体硬件连接图
从图一和图二可以清楚得到省晶体方案只修改了BT XEN_OUT和26M时钟信号的连接。 如果使用其他GPIO口,请进行相应的修改。
省BT晶体驱动修改
本次实验使用GPIO[17]作为中断口唤醒26M,如果使用其他GPIO口,请在Code中进行相应部分的修改。
//蓝牙与BB共用26M晶振code
//修改1 gpd_drv.h
/*--------------------------------------------------------------------------*/
/* GLOBAL FUNCTION DEFINITION */
/*--------------------------------------------------------------------------*/
//MSZ XB.PANG FOR XTAL
void BT_XTALINTInit(void);
void XTAL_B1IrqHandler(void);
//修改2 gpd_drv.c—在文件最后添加
//debug bluetooth
#define BT_XTAL_GPIO VM_IO_DBB_GPIO_17_IN_NP
#define BT_XTAL_INT_EXT EXT_INT_4
static u8 Xtal_tmp;
//RISE
sys_ExtIntParam BT_XTAL_INT_Param =
{
MAP_TO_EXT_INT_3, //mapping (EXT_1 is for Incense, EXT_2 is for Montage)
EXT_INT_NORMAL_POLARITY, //normal polarity (Rising Edge/High Level)
EXT_INT_DEBOUNCE_BOTH_EDGE_MODE, //mode
3, //debounce
0, //priority
(sys_ExtIntISR)XTAL_B1IrqHandler, //isr
};
void XTAL_Handler(void)
{
if (Xtal_tmp)
{
sys_LeaveNoPowerDownModeRegion(VM_SYS_POWER_DOWN_REGION_NO_SLEEP, SYS_POWER_DOWN_UART);//OK
Xtal_tmp = FALSE;
}
else
{
sys_EnterNoPowerDownModeRegion(VM_SYS_POWER_DOWN_REGION_NO_SLEEP, SYS_POWER_DOWN_UART);//OK
Xtal_tmp = TRUE;
}
}
//RISE
void XTAL_B1IrqHandler(void)
{
sys_ext_int_Mask(MAP_TO_EXT_INT_3, BT_XTAL_INT_EXT);
XTAL_Handler();
sys_ext_int_Clear(BT_XTAL_INT_EXT);
sys_ext_int_UnMask(MAP_TO_EXT_INT_3, BT_XTAL_INT_EXT);
}
void BT_XTALINTInit(void)
{
gpd_log(BT_XTALINTInit);
Xtal_tmp = FALSE;
sys_ext_int_Initialize(BT_XTAL_INT_Param, BT_XTAL_
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