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Smart－Cut SOI技术优势 （1）氢离子注入剂量为1016cm－2量级，比SIMOX的氧剂量小2个数量级，普通注入机即可。 （2）SOI层膜厚均匀，且厚度可由氢注入条件精确控制。 （3）BOX为高质量热氧化层，厚度可自由选择，Si－SiO2界面好。 （4）剥离后余下的硅片可继续使用，大大节约成本。 总 结 硅是一种储量丰富、廉价的材料，且其氧化层具备高强度、高稳定性以及容易生长等优点; 100 和 111 CZ 和FZ(floating zone), CZ更常用 切割, 去角,抛光,刻蚀和CMP 外延层: 单晶硅上的单晶硅 为双极型和高性能CMOS, DRAM所需 SOI: 键合和氧注入 作业 1. 目前，IC常用的半导体材料有哪些？它们的结构、电学性质各有什么特点？ 为什么硅能成为IC最广泛应用的衬底 2. 直拉法与区熔法拉制单晶各有什么优缺点？ 3. 硅有哪些常见缺陷？产生原因是什么？ 4. 氧含量的大小对硅器件性能有什么影响？在1200oC 下要多长时间的退火，能获得15ppm氧含量，20微米的脱氧层？ * 区域提纯 　　区域偏析 　　固溶体合金在不平衡结晶时所形成的晶内偏析，是属于一个晶粒范围内的枝干与枝间的微观偏析。除此之外，固溶体合金在不平衡结晶时还往往造成宏观偏析和区域偏析，即大范围内化学成分不均匀的现象。 　　区域提纯 　　区域偏析虽然对于合金的性能有很大的影响，但是依据这一原理，可以提纯金属。 　　设想：如果将杂质富集的末端去掉，然后再熔化，再凝固金属纯度就会得到不断的提高，但是这种提纯的方式颇为繁琐复杂； 　　20世纪50年代初期，人们利用这个原理创造出区域熔炼技术获得了较好的提纯效果。将金属棒从一端向另一端顺序的进行局部熔化，凝固的过程也随之进行。由于固溶体是有选择的结晶，先结晶的晶体将溶质（杂质）排入熔化部分的液体中。如此当熔化区域走过一遍以后，圆棒的杂质就会富集与另一端，重复几次即可达到目的，这种方法就是区域提纯；从提纯的效果来看，熔化区域越短则提纯的效果越好；这是由于熔区较长时会将已经推迟到另一端的溶质重新熔化跑到低的一端。通常熔区长度不大于试样长度的1/10； 　　另外提纯效果还与Ko【Ko=Cα/CL(Cα:固相平衡浓度；CL：液相平衡浓度)】的大小及搅拌的激烈程度有关。Ko越小测提纯效果越好，搅拌越激烈，液体成份越均匀，结晶出的固相成分越低，提纯效果越好。因此最好采用的是感应加热加之电磁搅拌；使液相内的溶质浓度易于均匀，这样加热区域的进给速度也可能大些。反复几次就可以使金属棒材的纯度大大提高。例如，对于Ko=0.1的情况下，只需进行5此区域熔纯，就可以使金属棒前半部分杂质含量降低至原来的1/1000.因此，区域提纯广泛应用于半导体材料，金属，金属化合物，及有机物等； * 掐头去尾、径向打磨、切面、或者制槽 1.整形处理 Flat, ≤150 mm 平口 硅片晶向的区分 定位面（200mm及以下） Notch, ?200 mm 槽口 定位槽 2.切片 硅锭切割方式:外圆、内圆、线切割 200mm以下的硅片 用带有金刚石切割边缘的内圆切割机 300mm及以上硅片 线锯法→更薄的切口损失 机械损伤较小 表面平整度还存在问题 如：300mm 厚 775±25μm 刻痕方向 Orientation Notch Crystal Ingot晶锭 Saw Blade锯刀 Diamond Coating 钻石薄层 Coolant 冷却液  Ingot Movement 晶棒移动 晶圆切片处理 内圆切割机 DXQ-601型多线切割机 3.倒角 硅片 硅片运动 边缘去角前的硅片 边缘去角后的硅片 硅片边缘圆滑化处理 4.磨片 表面研磨 粗抛 传统的, 研磨式的, 磨粉浆抛光 目的在于移除大部分的表面损伤 形成平坦的表面 5.化学刻蚀 湿法腐蚀 去除硅片表面的缺陷 4:1:3 比例混合物：HNO3 (79 wt% in H2O), HF (49 wt% in H2O), and pure CH3COOH. 化学反应: 3 Si + 4 HNO3 + 6 HF ? 3 H2SiF6 + 4 NO + 8 H2O 6.抛光 化学机械抛光 Slurry Polishing Pad Pressure Wafer Holder Wafer 100 ? SiO2 particle in NaOH solution 浆液 200 mm 硅片厚度和表面粗糙度变化 76 mm 914 mm 硅片切割后 12.5 mm 814 mm 2.5 mm 750 mm 725 mm V