模电期未自测的练习填空、选择题A-.docVIP

模电自测练习--填空选择题填空 1．半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。PN结在 正偏 时导通， 反偏 时截止，这种特性称为 单向导电 性。PN结具有 单向导电性能，即加正向电压时，PN结导通 ，加反向电压时，PN结 截止 。导通后，硅管的管压降约为 0.7V ，锗管约为 0.2V 。3、PN结的正向接法是P型区接电源的正 极，N型区接电源的负 极。P型半导体中的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是电子。N型半导体中的多数载流子是 电子 、少数载流子是 空穴 。 ．硅稳压二极管的稳压电路是由 限流电阻 、 硅稳压二极管 与 负载电阻 组成。 ．半导体是一种导电能力介于导体 与 绝缘体 之间的物质。半导体按导电类型分为 N 型半导体与 P型半导体。N型半导体主要靠 电子 来导电，P型半导体主要靠 空穴 来导电。半导体中的空穴带 正 电。、PN结中的内电场阻止多数载流子的 扩散 运动，促进少数载流子的 漂移 运动。 ．晶体二极管主要参数是 最大正向电流 与 最高反向电压 。 ．晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅 两类，按PN结的结构特点可分为 点接触型 和面接触型 两种。按用途可把晶体二极管分为检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。 、点接触型晶体二极管因其结电容 小，可用于 高频 和超高频的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于 大功率 的场合。 、2AP系列晶体二极管是 锗 材料做成的，其工作温度较 低。2ＣP、2ＣＺ系列晶体二极管是 硅材料做成的，其工作温度较 高 。 1.?P 型半导体中的多数载流子是 ?B ， N 型半导体中的多数载流子是 A 。 2. 杂质半导体中少数载流子的浓度 ?C 本征半导体中载流子浓度。???A. 大于 ????B. 等于 ????C. 小于 3. 室温附近 , 当温度升高时 , 杂质半导体中 C 浓度明显增加。 . 硅二极管的正向导通压降比锗二极管 A ，反向饱和电流比锗二极管B 。 . 温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 ?B ，反向电流 A 。 1．当 PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是 （A ）。 2．如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（C ）。3．如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（B ）。14．晶体二极管的阳极电位是20V，阴极电位是10V，则该二极管处于（A）。．当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A）。 A.增大； B.减小； C.不变 ．在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于（B）。A.大电阻；B.接通的开关；C.断开的开关 极管硅管以 NPN 型居多，锗管以 PNP 型居多。μA变化到20μA时，集电极电流从1mA变为1.99 mA，则交流电流放大系数β约为 99 。 6．某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V，因此，当工作电压UCE=10V时，工作电流IC不得超过 10 mA；当工作电压UCE=1V时，IC不得超过 20 mA；当工作电流IC=2 mA时，UCE不得超过 30 V。 7．晶体三极管三个电极分别称为发射极、 基极和 集电 极，它们分别用字母E、 b 和 C 表示。 8. 当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为： NPN 管的 uC ??uB ??uE ??,??PNP管的 uC??????uB????uE ；工作在饱和区时 iC??? βiB ；工作在截止区时，若忽略 ICBO 和 ICEO ，则 iB ??=????0 ， iC ??=???0 。．由晶体三极管的输出特性可知，它存在 截止区、 放大区和饱和区三个区域。为了使晶体三极管在放大器中正常工作，发射结须加正向 电压，集电结须加 反向 电压。 、晶体三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做集电结 ，另一个叫做 发射结 。 ．晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一，使发射区的多数载流子浓度高， 集电 区的面积大， 基 区尽可能地薄；第二，使 发射 结正向偏置， 集电结反向偏置。 ．晶体三极管发射极电流Ie、基极电流Ib和集电极电流Ic之间的关系是 Ｉe=Ｉb＋ＩC 。其中Ic/Ib叫做 直流电流放大系数 ，用字母表示;ΔIe/ΔIb叫做 交流电流放大系数 ，用字母β表示。 ．晶体三极管的电流放大作用，是通过改变 基极 电流来控制 集电极 电流的，其实质是以 微小电流控制 较大电流。 ．硅晶体三极管发射结的导通电压约为　0.7Ｖ，饱和电压降为