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一 离子电导的导电机理 离子晶体的离子电导主要有两类： 第一类，固有离子电导（本征电导），源于晶体点阵的基本离子的运动。离子自身随着热振动离开晶格形成热缺陷。（高温下显著） 第二类，杂质电导，由固定较弱的离子运动造成的。（较低温度下杂质电导显著）? 弗仑克尔缺陷——载流子浓度 ① 间隙离子1受周围离子的作用，处于半稳定状态。 ② 间隙离子从位置1跃入相邻原子的间隙位置2，需克服一个高度为U0 的“势垒”,完成一次离子迁移， 电导率随活化能按指数规律变化，而活化能反映离子的固定程度，它与晶体结构有关。 离子晶体要具有离子电导的特性，必须具备的条件： （1）电子载流子的浓度小； （2）离子晶格缺陷浓度大并参与电导。 因此离子型晶格缺陷的生成及其浓度大小是决定离子电导的关键。 * 无机非金属导电机理 2.1.5 无机非金属的导电机理 ?Eg 价带 导带 无机非金属材料 半导体：载流子电子、空穴——电子电导 绝缘体： 晶体：NaCl AgCl MgO 非晶体：玻璃 绝缘体常温下是绝缘的，不能导电 电导率的基本公式： 只有一种载流子时： 电流：电场作用下，载流子的定向移动。 如果无机非金属材料能导电，载流子又是如何形成的？ 金属材料载流子：电子 半导体的载流子：电子和空穴 载流子为离子或离子空位——离子电导 1.载流子浓度 （1）固有电导（本征电导） 提供 载流子由晶体本身热缺陷—— 弗仑克尔缺陷 肖脱基缺陷 晶体的温度较高时，一些能量较高的的离子脱离格点形成“间隙离子”，或跑到晶体表面形成新的结点，原来的位置形成空位，从而破坏晶格的完整性，这种与温度有关的缺陷称之为晶体的热缺陷。 弗仑克尔缺陷：一定温度下，格点原子在平衡位置附近振动，其中某些原子能够获得较大的热运动能量，克服周围原子化学键束缚而挤入晶体原子间的空隙位置，形成间隙原子，原先所处的位置相应成为空位。这种间隙原子和空位成对出现的缺陷称为弗仑克尔缺陷。 肖特基缺陷：一定温度下、表面附近的原子A和B依靠热运动能量运动到外面新的一层格点位置上，而A和B处的空位由晶体内部原子逐次填充，从而在晶体内部形成空位，而表面则产生新原子层，结果是晶体内部产生空位但没有间隙原子，这种缺陷称为肖特基缺陷。 nf——弗仑克尔缺陷提供的载流子浓度 N——单位体积内离子结点数 Ef——形成一个弗仑克尔缺陷所需能量 肖脱基缺陷——载流子浓度： ns——肖特级缺陷提供的载流子浓度 N——单位体积内离子结点数 Es——形成一个肖特级缺陷所需能量 （2）杂质电导 作为载流子的离子由杂质缺陷引起 杂质离子载流子的浓度：决定于杂质的数量和种类。 杂质离子的存在：①掺杂可形成载流子，同时形成新载流子。 ②掺杂使点阵发生畸变，引起晶格上结点的 能量变化，杂质离子离解活化能变小。 新的载流子 杂质离子——载流子浓度： nz——杂质离子提供的载流子浓度 Nz——掺杂杂质总量 Ef——杂质离子的离解能 本征缺陷和杂质缺陷形成了离子晶体可能出现 的各种缺陷 晶体中离子载流子浓度： 实际应用中：外界条件不同。起主导作用的缺陷不一 样，材料的电导率性质不同。 高温下: 离子晶体的电导主要由热缺陷浓度决定 低温下: 离子晶体的电导主要由杂质载流子浓度决定 离子电导的微观机构:载流子(离子)的扩散 。 离子的扩散过程就构成了宏观的离子“迁移”。 2.离子迁移率 离子导电性：离子类载流子电场作用下， 通过材料的长距离迁移。 假定一维材料中存在间隙离子缺陷（位置1） 间隙离子由于热运动, 越过势垒U0。单位时间沿某一方向跃迁的次数为： ——间隙离子在半稳定位置上振动的频率。 间隙离子在晶体中各方向的迁移次数都相同，没 有方向性。 间隙离子带有电荷作为载流子，他们的迁移引起 微观电流，因为迁移在各方向几率相等，所以相 互抵消，宏观上无电荷定向运动，故介质中无电 导现象。 E=0， E≠0 外电场作用下，间隙离子的势垒发生变化 则顺电场方向和逆电场方向填隙离子单位时间内 跃迁次数分别为： 设电场 在 距离上造成的位势差 δ——每跃迁一次的距离 单位时间内每一间隙离子沿电场方向的平均迁移次数： 载流子沿电场方向的迁移速度为 v， 每跃迁一次的距离为δ 当电场强度不大时， 同样： 所以： 载流子沿电流方向的迁移率为： ——晶格距离，δ越大（晶格结构越松散），μ越大。 ——间隙离子的振动频