考试点专业课：上海大学电子技术基础（模拟部分）复习题.pdfVIP

考试点考研网 复习题 第一章 半导体器件 1．选择 （1）．在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为 。 A 本征半导体 B P 型半导体 C N 型半导体 D 半导体 （2 ）. N 型半导体多数载流子是带负电的自由电子，N 型半导体 。 A 带正电 B 带负电 C 没法确定 D 电中性 （3 ）．PN 结加正向电压时，其正向电流是由 的。 A ．多数载流子扩散形成 B ．多数载流子漂移形成 C ．少数载流子扩散形成 D ．少数载流子漂移形成 （4 ）．当PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。 A ．大于 变宽 B. 小于 变窄 C. 大于 变窄 D. 小于 变宽 （5 ）．二极管的电流方程是 。 u i I e u i I e UT DA. S DB. S  u   u  i I e   UT 1  i I e  1 UT  D S   D S   C.   D.   （6 ）．稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区 （7 ）．三极管工作在放大区时，发射结和集电结应为 。 A. 发射结正偏，集电结正偏 B. 发射结正偏，集电结反偏 C. 发射结反偏，集电结正偏 D. 发射结反偏，集电结反偏 u 0 （8 ）． GS 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管 （9 ）．工作在放大区的三极管，若当 I B 从12A 增大到 22A 时，I C 从1mA 变为 2mA ， 则它的 约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 103 （10）．当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时，它的低频跨导g m 将 。 A. 增大 B. 减小 C. 不变 U U O V D 0.7 2 ．二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并求 ，设 。 1 考试点考研网   u 10 sin U t U   V  5 3. 二极管的双向限副电路如图 a ，设 i 如图 b ， C1 C 2 ，二极 u