电子材料及元器件5.3.pptVIP

5.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体是由周期表中ⅢA和ⅤA族元素化合而成的。 Ⅲ-Ⅴ族化合物的优良性质： 禁带宽度大 载流子迁移率高 直接跃迁和独特的双能谷能带结构 。 以上性质使它们在制备光电器件和微波器件上具有比锗、硅更大的优势。 5.3.1Ⅲ-Ⅴ族半导体的性质 Ⅲ族原子比Ⅳ族原子少一个价电子，而Ⅴ族原子则比Ⅳ族多一个价电子 。 Ⅲ-Ⅴ族化合物每个原子的平均电子数与Ⅳ族半导体的相同。 Ⅲ-Ⅴ族化合物与Ⅳ族半导体相似，它们的结晶都是闪锌矿结构，类似于Ⅳ族元素金刚石结构，价键主要是共价键形式。 Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅳ族半导体的差别，来源于构成原子的负电性。 它使键能具有离子成分。 离子成分的引入，使得Ⅲ-Ⅴ族的总能量高于相对应的Ⅳ族元素的总能量。 它们的结合强，熔点较高， 禁带宽度也较大，这是制备高温与大功率器件所需材料的必备条件。 5.3.2Ⅲ-Ⅴ族化合物的晶体结构 立方闪锌矿型结构 少数几种Ⅲ-Ⅴ族化合物（如 BN、AlN、GaIn）的晶格为六角纤维锌矿结构 六角纤维锌矿型结构。 大多数Ⅲ-Ⅴ族化合物（包括AlP 、AlAs、GaP、GaAs、GaSb、InP、InAs、InSn）的晶格都是闪锌矿型结构。 闪锌矿型结构与Si的金刚石结构的比较 每个原子最近邻有四个原子，配位数为4，若该原子处在一个正四面体的中心，则四个近邻原子处在四面体的顶角，这种