项目半导体器件的识别与检测.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * 场效晶体管则是一种电压控制型器件，是利用输入电压产生电场效应来控制输出电流，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、耗电省等优点，目前已广泛应用于各种电子电路中。 1.5.1 MOS场效晶体管的基本结构 绝缘栅场效晶体管（MOS管）分为增强型和耗尽型两类，各类又有P沟道和N沟道两种。 1.5 场效晶体管 N沟道增强型绝缘栅场效晶体管 结构示意图及电路符号 P沟道增强型绝缘栅场效晶体管 结构示意图及电路符号 N沟道增强型绝缘栅场效晶体管是用一块杂质浓度较低的P型硅片作衬底， B为衬底引线。在硅片上面扩散两个高浓度N型区(图中N+区)，各用金属线引出电极，分别称为源极s和漏极d，在硅片表面生成一层薄薄的二氧化硅绝缘层，绝缘层上再制作一层铝金属膜作为栅极g。 如果制作场效晶体管采用N型硅作衬底，漏极、源极为P+型区的引脚，则导电沟道为P型。 观察绝缘栅场效晶体管的电路符号时应注意：若d极与s极之间是三段断续线，表示为增强型；若是连续线表示为耗尽型。箭头向内表示为N沟道，反之为P沟道。 场效晶体管外形图 1.5.2 MOS场效晶体管的电压控制原理 在N沟道增强型场效晶体管的漏极d与源极s之间加上工作电压VDS后，管子的输出电流ID就受栅源