3-2载流子瞬态输运过程 .ppt

二、 弹道输运导电的特点 1 电流— 电压特性 电流密度J 电子浓度的泊松方程： 电子速度可表示为 电子浓度的泊松方程： 解此方程即会得到J—V 之间的关系 解泊松方程，进行如下变换： 考虑一理想的n+nn+器件， 这种器件的边界条件为： 泊松方程和边界条件变为： u 与 ω之间的关系为： 在u 〈 1 和 ω 〈〈 1时，进行泰勒 展开： V 与 J之间的关系为： * * 3.5 载流子的速度过冲(下冲)过程 一、速度过冲过程概念 *速度与电场的关系 在低电场时, 欧姆定律成立。V 与E成正比 在高电场时, 欧姆定律不成立。(V = 107 ) *速度过冲 瞬态速度超过定态值的现象称为速度过冲. 在电场E的作用下：导带电子受到的电场力为 在F的作用下：导带电子获得的加速度为 过冲原因分析： 因散射等引起的速度变化为 载流子的运动方程 把电子由于附加势的作用而引起的状态改变称为受缺陷、杂质和晶格振动的散射。 解微分方程得 结论：1. 场强一定,时间与速度成正比 2. 时间一定，定态漂移速度,随电场的增高而增大. 3. 与定态速度在强电场时将趋于一共同的饱和值矛盾 经过足够长时间 t τ,达到稳态以后，电子的速度达到最大值: 电子在单位电场作用下的定向运动速度，电子迁移率为 弛豫时间： 例: 在强电场下,当漂移速度达到 时,电子“温度”升高而成为热电子,电子与格波的散射频繁,使驰豫时间减短. 设为指数衰减,即, 于是有 当t τm时, vd趋于 定态值,(与E无关) 产生速度过冲这种瞬态效应的实质，可以认为是由于在强电场下电子的动量驰豫时间τm很短所造成的。因为τm很短即意味着当电子进入高电场区时．其波矢将立刻增大，亦立刻获得定向的漂移速度；这时若电子的能量升高较慢(即能量弛豫时间τE较长), 尚来不及被“加热”，则电子的平均热运动速度仍将停留在与晶格温度相适应的较低数值上．从而电子的平均自由时间τ较长．迁移卒μ较高，漂移速度Vd很高，可以超过定态值，即速度过冲。所以，发生速度过冲的条件应当是：(1)电场很强；(2) τm τE 半导体中载流子的动量弛豫时间一般不同于能量弛豫时间．这是由于在同一温度下，动量弛豫和能量弛豫可以通过不同的散射机构来进行，例如对高掺杂半导体。在较低温度下，动量弛豫主要是通过电离杂质散射进行，但能量弛豫只能通过各种声子散射进行。又如在声学声子散射决定动量弛豫的温度范围内．光学声子散射却可以决定着能量弛豫过程，因为光学声子有较大的能量，在能量弛豫中较为有效。 可以说，速度过冲效应是动量很大、而能量(或电于温度)较低的非热电子在强电场作用下的—种瞬态输运过程中的现象。在半导体器件中．电了从低电场区进入高电场区的开始瞬间，也会有这种瞬态现象。 不仅电子从低电场区进入高电场区时有一瞬态过程．而且当电子从高电场区进入低电场区时也同样存在有一瞬态过程—速度下冲效应．即漂移速度低于相应定态值的现象。 二、 速度过冲效应在器件中的影响 蒙特卡罗算法得到的速度过冲效应曲线 GaAs要经过1PS秒左右,电子速度才稳定到与电场相应的定态值. GaAs电子速度可以过冲到其定态稳定值数倍以上. Si过冲的速度和达到定态值前所经历的时间小得多。 GaAs要漂移过0.5μm左右,电子速度才稳定到与电场相应的定态值. GaAs电子速度可以过冲到其定态稳定值数倍以上. Si过冲的速度和达到定态值前所漂移过的距离小得多。 亚微米尺寸的GaAs和InP器件中, 速度过冲效应是明显的. 对Si器件, 尺寸小至0.1μm也几乎不出现速度过冲效应. 速度过冲与器件的几何尺寸有关 图为不同材料的小尺寸器件 栅极下有明显的速度过冲效应. GaAs-MESFET沟道中电子速度的分布 降低工作温度和掺杂浓度, 将有利于提高过冲速度. 速度过冲与工作温度和材料的掺杂浓度有关 三、 关于计算方法的说明 半导体中载流子的输运性质一般可用Bolzmann输运方程来描述 Bolzmann输运方程三个假设: 可以采用有效质量和能带模型; 碰撞过程在空间和时间上都是短暂瞬时的 散射与电场无关 Bolzmann输运方程求解方法 近似解析法 数值计算法 微分方程法 麦克斯韦分布函数法 移位麦克斯韦分布函数法 迭代法 蒙特卡罗算法 平衡方程法 移位麦克斯韦分布函数法 移位麦克斯韦分布函数是用移位麦克斯韦分布函数来描述载流子在动量空间的瞬态分布，也称为量子动力学方法. 该方法较适合于高载流子浓度