CMOS模拟集成电路设计_ch1_2绪论器件物理(二).pptVIP

2.4 MOS器件电容 * 分析高频交流特性时必须考虑寄生电容的影响 栅和沟道之间的氧化层电容 衬底和沟道之间的耗尽层电容 多晶硅栅与源和漏交叠而产生的电容C3，C4，每单位宽度交叠电容用Cov表示 源/漏与衬底之间的结电容C5，C6，结电容 根据物理结构，可以把MOSFET的寄生电容分为以下4类： 器件关断时，CGD=CGS=CovW， CGB由氧化层电容和耗尽区电容串连得到 深三极管区时，VD?VS， 饱和区时， * 在三极管区和饱和区，CGB通常可以被忽略。 在电路分析中我们关心器件各个端口的等效电容： 大信号和小信号模型 大信号模型 用于描述器件整体的电压-电流关系，通常为非线性 小信号模型 信号幅度相对于偏置工作点而言比较小、不会显著影响偏置工作点时用该模型简化计算（线性近似） 由gm、 gmb、rO等构成低频小信号模型，高频时还需加上 CGS等寄生电容、寄生电阻 * MOS小信号模型 * * 工艺跨导参数 MOS管的完整小信号模型 对于手算，模型不是越复杂越好。 能提供合适的精度即可 * MOS SPICE模型 模型精度决定电路仿真精度 最简单的模型——Level 1，0.5?m 适于手算 * NMOS管与PMOS管 在大多数工艺中，NMOS管性能比PMOS管好 迁移率4：1，高电流驱动能力，高跨导 相同尺寸和偏置电流时，NMOS管rO大，更接近理想电流源，能提供更高的电压增益 对nwell 工艺，用PMOS管可消除体效应 独占一个阱 * NMOS管与PMOS管工艺参数的比较 长沟道器件和短沟道器件 前面的分析是针对长沟道器件（4?m以上）而言 对短沟道器件而言，关系式必须修正 用简单模型手算，建立直觉；用复杂模型仿真，建立严密 * MOS管用作电容器时 * 练习 1. 并联 串联 两个管子并联 M=2 注意不要混淆管子的宽W和长L 以及串并联关系！ W L * * * * * * * * * 北大微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理 * 2. MOS器件物理基础 2.3 二级效应 体效应 在前面的分析中，我们未加说明地假定衬底和源是接地的（Vsb=0）。实际上当VBVS时，器件仍能正常工作，但是随着VSB的增加，阈值电压VTH会随之增加，这种体电位（相对于源）的变化影响阈值电压的效应称为体效应，也称为“背栅效应”。 * 其中，γ为体效应系数，典型值0.3-0.4V1/2 体效应对电路性能的影响 体效应会导致设计参量复杂化， AIC设计通常不希望有体效应 * 沟道长度调制效应 当沟道发生夹断后，如果VDS继续增大，有效沟道长度L’会随之减小，导致漏源电流 ID 的大小略有上升，饱和区的电流方程需要做如下修正： * L越大，沟道长度调制效应越小！ 其中 λ 为沟道长度调制系数 * 亚阈值导电性 在初步分析MOSFET的时候，我们假设当VGS VTH时，器件会突然关断，即ID会立即减小到零；但实际上当VGS略小于VTH 时，有一个“弱”的反型层存在，ID也并非是无穷小，而是与VGS呈现指数关系： * 北大微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理 * * * * * * * * *