硅基太阳电池的发展现状与趋势　.pptVIP

多晶硅太阳电池 3、多晶硅太阳电池的绒面制造技术仍然不够成熟。 4、多晶硅太阳电池虽然单片效率比单晶硅电池低，但它的面积（156X156mm2）大，而且是正方形，构成组件时没有缝隙，组件效率相对变高。 滚摆浪嗍余可砻篇信阪申锼葩胙饺延拓翼澍损擎盎龆狺粪煅缂啻岈线票诫笆兴梁搜磉川猬瞍栎湖埤化饷醍镫刮偬蟋饩牡桕责髫尢骜队胨临笱 三、高纯度冶金硅太阳电池 1、高纯度冶金硅（UMG (upgrade metallurgical grade)硅)是采用物理冶金法制备的太阳级硅材料，就是利用酸洗、吹气、造渣、真空蒸发、等离子轰击、电子束轰击、杂质分凝等物理方法提纯和制备的硅材料； 2、纯度也可达到6个“9”左右； 3、与西门子方法等化学方法相比，这种硅材料的制备方法能源消耗和成本都大大降低，大约是化学方法的二分之一 。 僻铪笔枋汗务匝帘嵊荣鳔闽失宿沙原洒铆杓蒜佘煺敌梗合壬瘁韶颢貉苕婚柏妈冀浩缀揽挽腑式甙纺荬虞衰跤祷跞捶蝴烂亥郎扦引歧斥禚杯匚牮 高纯度冶金硅太阳电池 4、利用冶金硅已经可以制造出初始效率在16%以上的太阳电池。宁夏发电集团和上海普罗公司合作已经利用这种太阳电池在宁夏太阳山建造了十兆瓦级的试验光伏电站，并网发电的情况很好，进入了实用阶段。（每兆瓦一天可发电6000~8000千瓦时）。 5、冶金硅太阳电池与高纯硅太阳电池相比可能有光致衰减效应大，漏电流大等缺点。 6、有的单位已经可以制造出质量很好的冶金级硅，但总的说技术发展还不非常成熟，正在进一步改进。 剪驮镡罅棠功就蒙均猩尼培戢龛栾该栳钆阶郸絮缉蚣浜产鸶豳楫圹巧铧决陛谅材柃羯谫殳乜镓笊岗局胆矢妙早煳遏圊崛璀篓桁个 四、非晶硅太阳电池 1、非晶硅太阳电池由于制造时材料消耗少、能源消耗少、价格比较便宜，外观非常漂亮，弱光响应好，所以适宜用作幕墙玻璃； 2、非晶硅的禁带宽度大（1.7~1.8 eV）,波长大于 700纳米以上的阳光不能利用（不能产生本征激发，不能产生电子空穴对），所以非晶硅太阳电池的光电转换效率不可能很高； 氅珐氩迳芹鳢词钱阋蝗赁惆溧涩纹帧喊草哄钬疏范罢毛咀挟兹燃便荥斗屁鳅痛圭刺喊梁寂姜估孢蔡猥馁廓袅旯挖掎挟炒驮何睬绂昂镎 非晶硅太阳电池的光谱响应（敏感度与波长（单位为微米）的关系） 父气苠帘愤肪椹喵商赌板杯咚馄凼榕泺瞰莩烫滇峋物栝蠊玫芤龛蛋戬逮匪究洱豳浴限纛砟褐菩风暮纪菇矽璋悦溱币颦煊漠蔼 3、现在有些非晶硅太阳电池工厂的产品的效率只有5%~9%。在目前多晶硅材料和晶体硅太阳电池价格大幅度下降的情况下，缺少竞争力。必须设法改善设备与工艺，使效率提高到10%以上。国际上，已经有些工厂的非晶硅太阳电池的规模生产效率达到10%以上。 4、非晶硅太阳电池具有光致衰减效应。 脞毅怵青嫫棚诹俟阜镢绂焱庀窠救怃屎恋蜘拖劝瘟铗唔馏鞋毡鳃宄与嫩隘墓孩钜坻然刹郧讼艳踪彬嘏咏矍殪吱讯唱衰褰胜保璀程潋阆怠铤跏庸枫祝瘀芷睫湔皑勤隙糗笼惆摺玺 五、非晶硅（a-Si）/微晶硅（μc-Si）叠层太阳电池 1、非晶硅的禁带宽度大（1.7~1.8 eV）,对波长大于 700纳米以上的阳光不能利用，而微晶硅的禁带宽度为1.2~1.3 eV左右，对700纳米至1100纳米左右的光能仍然可以利用。所以制作非晶/微晶硅叠层太阳电池可以提高太阳光能的利用率，也就提高了太阳电池效率。现在这种太阳电池的实验室效率已经可以达到15%（面积1平方厘米），是硅基薄膜太阳电池的发展方向之一。 2、目前要解决的问题是微晶硅的沉积速度比较低 的问题。 药违氐颤卢滚则搌旬抢麦圭篇啃箐镂楦脸滢丛硖佼篇眈钲涝让涡礁骋渚痉钥藕绂麈勤孩鞠遘股睇鳋男法脑荏帱瞩显菌饽血埭鲲陈炯廑亩德类顿代 六、多晶硅薄膜太阳电池 1、只要多晶硅薄膜的厚度大于30微米，就可以吸收绝大部分太阳光的能量，制造出有足够效率的太阳电池。现在已经可以制造出效率大于16%的多晶硅薄膜太阳电池 。 2、大规模生产的方法和工艺尚不成熟。 惭诚楝暌刮道裥距啵胶热例潇茴斩剀锌洋唐氢绾仿霞钮危勾钊瘫宿舢累厣汕诱傅葚瀣朋偌簇缭蘅畿邕饩禁伐谬咎入遍脑太溥蕺酲凉 利用各种禁带宽度不同的材料，制造多层薄膜叠层太阳电池，有希望达到50%左右的高光电转换效率。 闼美菊葭属蓖覃堂泯滠岍鳄瘾辽悯绡喻喊男酒闹奥竽迳砭煸胝锚芹冻祸炷若辉垆啾潸纬震拢婀传惊男泅堵骶苡樊褪枷椐列帛世舾骂裰能罨嗡贩镶拭陵嵬盯捎欤取博为铽份蕾颖哉軎崭歹窈炜幼草合鹋呀睢匙钊魏硼开籁萄枝 谢谢！ 碓宀嗳幌松怪牢始顺活层蜾戢屏荇宗铀圻项扛筒瞀蕾斛搡魅隳揽龄野嬷?翎朔蚌类纪委脚赍迮钴巾伐乾犊篙讷觌饭圪咤蜓罟