非极性GaN薄膜及其衬底材料31.pdfVIP

第35卷 第4期 人 工 晶 体 学 报 V01．35 No．4 2006年 8月 JOURNAL 0F SYNTHETIC CRYSTALS August，2006 非极性 GaN薄膜及其衬底材料 周健华 ，周圣明 ，邹 军 ，黄涛华 ，徐 军 ，谢 自力 ，韩 平 ，张 荣 (1．中国科学院上海光学精密机械研究所 ，上海 201800；2．中国科学院研究生院，北京 100039； 3．南京大学物理系，南京210093) 摘要：本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况，这些衬底主要包括y-HA10、r面蓝宝石等。通常在 蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的，而c轴是GaN的极性轴，导致 GaN基器件有源层量子阱中出现很强 的内建电场，发光效率会因此降低，发展非极性面外延，有望克服这一物理现象，使发光效率提高。 关键词：r面蓝宝石；y-LiAIO2；n面GaN；m面GaN 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2006)04-0765-07 NonpolarGaN FilmsandTheirSubstrate ZHOUJian．hua ，ZHOUSheng．ming ，ZOU ，HUANG Tao．hua ，XUNJun ， XIE Zi．1i。HAN P ZHANG Rongj (1．ShanghaiInstituteofOpticsandFineMechnaics，ChineseAcademyofSciences，Shnahgai201800，China； 2．GraduateSchooloftheChineesAcademyofSciences，Beijing100039，China； 3．DepartmentofPhysics。NnajingUniversity，Nnajing210093，Cllina) (Received18November2005，accepted12March2006) Abstract：ThisreviewfocusesmainlyontheGaNfilmsdepositedonavarietyofsubstrates， -HA102and r．planesapphireespecially．GaNfilmsonsapphirealecommonlygrowninthepolarc([0001]) direction，whichleadstoas~onginternalelectrostaticfieldinquantum wellsbasedonGaN，andhence decreasingtheintensityofluminescence．Epitaxial growth ofnonpolal wurtziteGaN filmsprovidesa promisingmenasofcircumventingthephysicalphenomenonandagoodperformnaceinvisibleband． Keywords：r．planesapphire； -HAlO2；口-planeGaN；m-planeGaN 引 言 近年来，GaN作为一种新的光电功能材料，以其宽直接带隙、高稳定性、高热导率、高硬度以及组成合金 后的宽发光光谱范围的优 良性质 ¨ 吸引了越来越多的人们的注意力。它的可应用方面很多，包括固态照 明、固体激光器、光信息存储、紫外探测器等等。按中国2002年的用电情况计算，如果采用固态照明替代传 统光源，一年可以省下三峡水电站的发电量，有着巨大的经济、环境和社会效益；而据美国能源部测算，到 2010年，全美半导体照明行业产值将达50