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纳米薄膜可分为：单分子膜；由纳米粒子组成（或堆砌而成）的薄膜；纳米粒子间有较多空隙或无序原子或另一种材料的薄膜等 纳米薄膜制备方法概述 * 物理气相沉积技术 * ?? CVD法可分为常压CVD； ?? 低压CVD； ?? 热CVD； ?? 等离子CVD； ?? 间隙CVD； ?? 激光CVD； ?? 超声CVD等等。 化学气相沉积技术 化学气相沉积（CVD）方法目前被广泛的应用于纳米薄膜材料的制备，主要用于制备半导体、氧化物、氮化物、碳化物纳米薄膜。 * ?? CVD法可分为常压CVD； ?? 低压CVD； ?? 热CVD； ?? 等离子CVD； ?? 间隙CVD； ?? 激光CVD； ?? 超声CVD等等。 化学气相沉积技术 化学气相沉积（CVD）方法目前被广泛的应用于纳米薄膜材料的制备，主要用于制备半导体、氧化物、氮化物、碳化物纳米薄膜。 * ?? CVD法可分为常压CVD； ?? 低压CVD； ?? 热CVD； ?? 等离子CVD； ?? 间隙CVD； ?? 激光CVD； ?? 超声CVD等等。 化学气相沉积技术 化学气相沉积（CVD）方法目前被广泛的应用于纳米薄膜材料的制备，主要用于制备半导体、氧化物、氮化物、碳化物纳米薄膜。 * 微乳液聚合方法制备高分子纳米粒子 Zhu Mingqiang, et. al. J.Am.Chem.Soc. 2006, 128：4303-4309. * 第二节 纳米粒子合成概述 自然界中的纳米粒子——尘埃、烟、花粉 20世纪初人们已开始用蒸发法制备金属及其氧化物的纳米粒子 20世纪中期人们探索机械粉碎法使物质粒子细化（极限为数微米）近几十年来机械粉碎法可以使微粒小到纳米量级 多种化学方法（表面活性剂的应用）和物理方法的开发 近十年来各种高技术，如激光技术、等离子体技术等的应用，使得制备粒度均匀、高纯、超细、分散性好的纳米粒子成为可能，但问题是如何规模化 * * 物理方法－粉碎法 几种典型的粉碎技术： 球磨、振动球磨、振动磨、搅拌磨、胶体磨、纳米气流粉碎气流磨 一般的粉碎作用力都是几种力的组合，如球磨机和振动磨是磨碎和冲击粉碎的组合；雷蒙磨是压碎、剪碎和磨碎的组合；气流磨是冲击、磨碎与剪碎的组合，等等。 * 物料被粉碎时常常会导致物质结构及表面物理化学性质发生变化，主要表现在： 物理方法－粉碎法 1、粒子结构变化，如表面结构自发的重组，形成非晶态结构或重结晶。 2、粒子表面的物理化学性质变化，如电性、吸附、分散与团聚等性质。 3、受反复应力使局部发生化学反应，导致物料中化学组成发生变化。 * 构筑法是由小极限原子或分子的集合体人工合成超微粒子 物理方法－构筑法 * 化学法主要是“自下而上”的方法，即是通过适当的化学反应（化学反应中物质之间的原子必然进行组排，这种过程决定物质的存在状态），包括液相、气相和固相反应，从分子、原子出发制备纳米颗粒物质。化学法包括气相反应法和液相反应法。 气相反应法可分为：气相分解法、气相合成法及气－固反应法等 液相反应法可分为：沉淀法、溶剂热法、溶胶－凝胶法、反相胶束法等 化学合成方法 * 又称单一化合物热分解法。一般是将待分解的化合物或经前期预处理的中间化合物行加热、蒸发、分解，得到目标物质的纳米粒子。一般的反应形式为： A（气） → B（固）＋ C（气）↑ 化学方法－气相分解法 气相分解法的原料通常是容易挥发、蒸汽压高、反应性好的有机硅、金属氯化物或其它化合物 Fe(CO)5(g) ?Fe(s)+5CO(g) SiH4(g) ?Si(s)+2H2(g) 3[Si(NH)2] ?Si3N4(s)+2NH3(g) (CH3)4Si ?SiC(s)+6H2(g) 2Si(OH)4 ?2SiO2(s)+4H2O(g) * 通常是利用两种以上物质之间的气相化学反应，在高温下合成为相应的化合物，再经过快速冷凝，从而制备各类物质的纳米粒子。一般的反应形式为： A（气）＋ B（气） → C（固）＋ D（气）↑ 激光诱 导气相 反应 化学方法－气相合成法 3SiH4(g)+4NH3(g) ?Si3H4(s)+12H2(g) 3SiCl4(g)+4NH3(g) ?Si3N4(s)+12HCl(g) 2SiH4(g)+C2H4(g) ?2SiC(s)+6H2(g) BCl3(g)+3/2NH3(g) ?B(s)+3HCl(g) * 沉淀法通常是在溶液状态下将不同化学成分的物质混合，在混合溶液中加入适当的沉淀剂制备纳米粒子的前驱体沉淀物，再将此沉淀物进行干燥或煅烧，从而制得相应的纳米粒子。存在于溶液中的离子A＋和B－结合，形成晶核，由晶核生长和在重力的作用下发生沉降，形成沉淀物。一般