双面高效电池生产工艺过程(HIT).pdfVIP

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2018-04-30 发布于河南
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双面高效电池生产工艺过程(HIT)

2010.03.30 主要内容 异质结(Heterojunction)定义 硅异质结太阳电池种类 硅异质结太阳电池优点 硅异质结太阳电池生产工艺过程 硅异质结太阳电池光伏系统  异质结: 由两种不同材料构成的结同型异质结: 相同导电类型异型异质结: 导电类型不同异质结种类: 硅异质结其他材料异质结  硅异质结太阳能电池(SHJ) 通常是指在单晶硅衬底上沉积硅薄膜构成 非晶硅(a-Si:H) 高Voc,低Jsc 微晶硅（纳米晶硅）(nc-Si:H) 高Jsc, 新的特性 外延硅(epi-Si:H) 重要研究方向, 低温外延生长问题 非晶硅碳(a-SiC:H) 带隙宽,窗口层,有待进一步研究 Polymorphous硅(Pm-Si) 过渡区材料,新特性,有待进一步研究  界面重要—钝化 本征i-a-Si:H  Sanyo HIT i-Epi-Si i-nc-Si:H i-pm-Si:H 原子H(H atomic) 离子H(H plasma) HIT太阳电池结合第一代单晶硅电池和第二代薄膜电池的优势 • 高转换效率,低生产成本 • 温度系数小 • 适用于更薄的硅片 November 2008 HIT电池制备工艺过程双面高效异质结电池  电池效率19.6%  尺寸: 156X156mm2  硅片: CZ n-type C-Si 双面高效电池生产线相关设备清洗和制绒过程 SDR texturing 前薄膜沉积过程 Front PECVD system 前透明导电膜沉积过程 Sputtering system 硅片反转过程 flipper system 硅片反转过程movie 后薄膜沉积过程 Back PECVD system 后透明导电膜沉积过程 MOCVD system 丝网印刷栅线电极 Screen printer and Dryer system 边缘刻画过程 Edge Isolation system  组件功率276.4W  尺寸: 1.00X1.67m2  电池片数:6X10 wafers 硅异质结太阳电池光伏系统日本三洋公司在Gifu建立的630kW HIT太阳电池示范电站三洋公司在美国加利福尼亚Santa Monica建立的5个1.95kW HIT电站三洋公司在Las Vegas建立的2.85kW HIT电池电站