【2018年整理】晶体管规则阵列设计技术.ppt

晶体管规则阵列设计技术 VLSIC是高度复杂的集成系统，为保证设计的正确性并且降低设计难度，提高设计效率，避免由于在版图设计过程中采用复杂结构而引入不可靠因素，因此，在VLSI的设计技术中大量地采用规则结构，晶体管规则阵列设计技术就是其中之一。 在这个结构中的基本单元就是MOS晶体管或CMOS晶体管对。 4.3.3 多级门阵列(MGA) MGA是在PLA基础上变化而成的多级门结构，虽然它被称为门阵列，实际上它是多级PLA的组合，一个最明显的标志是它对输入、输出位置的限制。 因为在每块PLA中，“与平面”只能外部输入，内部输出，“或平面”只能内部输入，外部输出。 4.4 门阵列 门阵列是一种规则化的版图结构。门阵列版图采用行式结构，在单元行内规则的排列着以标准门定义的门单元。 严格地讲，门阵列不是一个实现逻辑的电路结构，它是一种版图形式。 * * 天马行空官方博客：/tmxk_docin ；QQ:1318241189；QQ群：175569632 4.1 晶体管阵列及其逻辑设计应用 ROM是最常用的晶体管规则阵列，它以晶体管的有无来确定存储的信号是“0”或“1”。 4.1.1 全NMOS结构ROM 天马行空官方博客：/tmxk_docin ；QQ:1318241189；QQ群：175569632 动态NMOS或非结构ROM 4.1.2 ROM版图 1. NMOS或非结构ROM版图 天马行空官方博客：/tmxk_docin ；QQ:1318241189；QQ群：175569632 2. NMOS与非结构ROM版图 天马行空官方博客：/tmxk_docin ；QQ:1318241189；QQ群：175569632 对于并联形式的器件采用不制作或开路的方法去除； 对于串联形式的器件采用不制作或短路的方法去除； 对于NMOS管，可以不做栅或漏； 对于NMOS管，采用离子注入的方法可去除： 1）并联结构，采用提高开启电压实现开路，注入与衬底相同的杂质； 2）串联结构，采用降低开启电压到负向（耗尽）实现短路，注入与衬底相反的杂质。 对器件编程的技术小结： 例题：按照真值表，用NMOS或非ROM结构电路实现逻辑。 地址译码器（输入变量组合的枚举）： 4.2 MOS晶体管开关逻辑 MOS开关晶体管逻辑是建立在“传输晶体管”或“传输门”基础上的逻辑结构，所以又称为传输晶体管逻辑。信号的传输是通过导通的MOS器件，从源传到漏或从漏传到源。这时的信号接受端的逻辑值将同时取决于信号的发送端和MOS器件栅极的逻辑值。 4.2.1 开关逻辑 1. 多路转换开关MUX CMOS结构的MUX 带有提升电路的MUX 2. MUX逻辑应用 在MUX作为选择开关的应用时，将B和A当作控制信号，而将C0~C3当作数据信号，如果反过来，仍是这个电路结构，将C0~C3当作逻辑功能控制信号，B和A作为逻辑数据信号，我们可以得到一个非常有趣地逻辑结构。 例2：设计一个实现四种逻辑操作的电路，其中控制信号为K1K0，逻辑输入为A、B，当K1K0=00时，实现A、B的与非操作；当K1K0=01时，实现A、B的或非操作；当K1K0=10时，实现A、B的异或操作；当K1K0=11时，实现A信号的倒相操作； 分析：首先，我们可以确定采用四到一MUX能够实现所需的四种逻辑操作，接下来的任务是产生所需的四种控制编码C3~C0，同时，这四种控制编码又对应了外部的二位控制信号K1K0，因此，该逻辑应由两部分组成：编码产生与控制逻辑和四到一的MUX。 查表4-1可知，当实现A、B与非操作时，C0~C3为1110； 当实现A、B或非操作时，C0~C3为1000； 当实现A、B异或操作时，C0~C3为0110； 当实现A信号倒相操作时，C0~C3为1010； A、B与非操作时，C0~C3为1110；A、B或非操作时，C0~C3为1000； A、B异或操作时，C0~C3为0110；A信号倒相操作时，C0~C3为1010。 4.2.2 棒状图 4.3 PLA及其拓展结构 可编程逻辑阵列PLA也是典型的晶体管规则阵列结构，它采用两级ROM形式构造电路，其两级ROM阵列分别为“与平面”和“或平面”，这是源于大多数逻辑表达式采用“与-或”结构。 它不用译码电路而直接将输入变量的原量和非量送入晶体管阵列。 实际的PLA结构中，“与平面”并不是由“与门