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运用XPS研究GaAs(100)表面超薄GaN层的形成 XPS study of the formation of ultrathin GaN film on GaAs(1 0 0) 文献简介 1、运用XPS，通过对Ga3d、As3d峰强度比值分析，达到监控基底表面物质种类及厚度的目的。 2、创立了一个叠层模型（alternated Ga and As layer model），通过它可确定在沉淀有Gs的砷化镓表面进行氮化的最佳温度；确定GaN层厚度。 1 2 1、GaN是第二代GaAs、InP化合物半导体之后的第三代半导体材料。具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好等性质。 1、GaAs在自然氧化时不能形成良好的保护层，反而会引入太多的表面态，导致费米能级的钉轧；GaN具有良好的热、化学稳定性且不会形成GaAs禁带中的电子态。 2、GaN在激光发射器、宽屏光谱探测器、高功率微波设备、高频场效应晶体管制作中十分重要。 3、GaAs的（100）面是生产 立方 GaN的一个很好选择。此外，有一个质量良好的GaN缓冲层对后续的GaN外延是十分重要的。 背景介绍 （一） 实验步骤 前期准备： 1、基底：GaAs晶片 （商用级别的晶向为（100）的单晶抛光片） 2、共有八个样品以供测试、对照 3、样品经过多次的热甲醇（去油）、去离子水冲洗、稀硫酸刻蚀 4、实验是在一个自制的装备了超高真空室的XPS系统进行的。（拥有双阳极（Mg-Al)X射线源和半球电子能量分析仪） 5、射线源：Mg Kα射线（1253.6eV） 入射角：50° 窄扫描通能：20eV 6、以Ga3d、As3d光电子峰强度作为含量计算依据 7、送入真空室后，于6*10-5 torr时用电流密度为3μm/cm2 、能量为1keV的Ar+ 进行表面清洁 8 、氮化设备：高电压放电等离子体源（GDS)；氮化之前基底需在400℃下加热一小时；不同的基底选择相应的氮化时间进行氮化 背景介绍 （二） 5、为什么选GaAs作为生长GaN衬底？ 生长一种晶体最好采用该材料的同质衬底，但GaN同质衬底很难获得，只能使用异质衬底来外延生长GaN。GaAs与GaN晶格失配较蓝宝石稍大，但热膨胀系数匹配较好，降温后开裂的可能性较小，而且很容易地将GaAs衬底去除。但GaAs在高温条件下易分解，故在GaAs衬底表面先低温进行氮化,然后再低温生长缓冲层, 防止GaAs分解,为以后外延生长提供条件。 6、为什么选择Ga3d、As3d峰? 同一次实验中除X射线光通量和有效面积不变，θ、y、?和T都与光电子动能有关。选择两种元素的动能相近的光电子谱峰，则原子浓度相对比值的误差较小。本研究选用能量非常接近的Ga3d、As3d（采用Al Kα 和Mg Kα射线时，动能分别为1466 eV和1446 eV），采用实测的灵敏度因子进行计算，既保证了两种元素的信号来源于同一深度的区域，又使结果更加准确。 角度校正因子 平均自由程 光电子产生率 检测效率 定量分析 文章提供的XPS定量分析公式： ?X：元素X轨道的光电离截面 NX：元素在样品表面下距离 z 处的原子数量 TX：分析器的传输函数 Φ ：光电子流量 ?ix：光电子的非弹性平均自由程 与老师PPT上提供的公式相比，文献没有考虑非对称因素，其给出的理由是：we studied photoelectron peaks without decomposition （我们所研究的光电子峰没有分裂） X元素在深度为Z处的谱峰强度 叠层模型 ~ ~ 厚度Z=b（层数）*d（层距） N=S（面积）*d（厚度）*n（原子浓度） 前面的系数都以敏感因子SA代替 叠层模型得出的强度公式 表示基体B中A电子峰的衰减 最后一层为Ga时 最后一层为As时 IGa3d/IAs3d= 表面富Ga时 表面富As时 实验 （注：在记录峰值之前已经用Shirly法进行了背底的扣除） ML,覆盖度单位。其表示的含义为吸附上的原子占基底原子的比例 由图可知： 1、衬底表面是富Ga的、实验值比理论计算值稍大，对于富Ga表面R值约为0.76、对于富As表面，R值约为0.55 2、实验R值约为0.77，基本与符合理论值 3、对于表面沉淀了3层Ga的样品来说，理论R值为1.35，实验测得为1.33 探测深度？ 最佳氮化温度的确定 不同温度与R值的关系 . 表面沉淀了覆盖度为3的Ga之后的峰强度值，可用下列公式计算： 理论计算的R值为1.35 最佳氮化温度