第五章-高频功率放大器.ppt

当晶体管静态特性曲线理想化为折线，而且放大器工作于负载回路谐振状态（即负载为纯电阻性）时，动态特性曲线是一条直线。但是，实际的动态特性曲线或工作路不是直线。 负载特性曲线： VBB、Vbm 、 VCC 不变时，各种电流、输出电压、功率与效率等随Rp而变化的曲线。 静态特性曲线：没有负载阻抗条件下获得的关系曲线。 动态特性曲线：在考虑负载反作用后，所获得的vB、vC与 ic 的关系曲线。最常用的是vB、vC同时变化时，表示ic -vC关系的动态特性曲线（有时叫负载线或工作路）。 当晶体管静态特性曲线理想化为折线，而且放大器工作于负载回路谐振状态（即负载为纯电阻性）时，动态特性曲线是一条直线。 当放大器工作于谐振状态时，它外部电路关系式为： 晶体管的折线化方程为： 1. 高频功放的动态特性 vC ic Vo ? A VCC ? Q Vcm vCmin gd 动态特性直线作法： B （1）在vc轴上取B点，使OB=V0，从B作斜率为gd的直线BA。 （2）静止点Q: 点A: 1. 高频功放的动态特性 iC-vB动态特性直线： 在实际工作中，晶体管工作于放大区和截止区时， iC几乎不受集电极电压变化影响，因而在iC-vB平面上的动态曲线几乎和静态曲线重合。因此在iC-vB平面上可以用静态特性来表示动态特性。 另外，由下式知， ic只取决于vB。 2. 高频功放的负载特性 iC vce iC VCC ? Q gd vbemax ? ? ? gcr ? 过压区 临界区 欠压区 vbemax Rp增加 2. 高频功放的负载特性 iC vce vbemax 过压区 临界区 欠压区 欠压 过压 0 临 界 R p 欠压 过压 0 临 界 R p End 欠压、过压、临界三种工作状态的特点： 结论： 欠压：恒流，Vcm变化，Po较小，ηc低，Pc较大； 过压：恒压，Icm1变化，Po较小，ηc可达最高； 临界：Po最大，ηc较高； 最佳工作状态 发射机末级 中间放大级 2. 高频功放的负载特性 图6.3.7 负载特性曲线 欠压 过压 0 临 界 R p 欠压 过压 0 临 界 R p vce iC vbemax ?Q VCC ? ?Q VCC ?Q VCC ? ? ? ? iC 1. 改变ＶCC对工作状态的影响 过压 欠压 0 临 界 V CC 过压 欠压 0 临 界 V CC 集电极调幅作用是通过改变VCC来改变Ｉcm1与Ｐo才能实现的，因此，必须工作于过压区。 2. 改变Ｖbm对工作状态的影响 vce iC vbemax1 vbemax2 ?Q VCC vbemax4 ? ? ? ? iC vbemax3 ? ? 欠压 过压 0 临 界 V bm 欠压 过压 0 临 界 V bm 3. 改变ＶBB对工作状态的影响 基极调幅作用是通过改变ＶBB来改变Ｉcm1与Ｐo才能实现的，因此，必须工作于欠压区。 vbe ? VBB vbemax1 vBE iC ? VBB vbemax2 ? VBB vbemax3 vce iC vbemax1 vbemax2 ?Q VCC vbemax3 ? ? ? ? iC VBB绝对值的增加等效于减少 Vbm，两者都会使vbemax产生相同的变化 End 例6.3.1 有一个用硅NPN外延平面型高频功率管3DA1做成的谐振功率放大器，设已知ＶCC＝24Ｖ，Ｐｏ＝２Ｗ，工作频率＝１MHz。试求它的能量关系。由晶体管手册已知其有关参数为fＴ≥70MHz ，Ap（功率增益）≥13 dB，ＩCmax＝750ｍＡ,ＶCE(sat)(集电极饱和压降)≥1.5Ｖ,ＰCM＝１W。 解： １）由前面的讨论已知，工作状态最好选用临界状态。作为工程近似估算，可以认为此时集电极最小瞬时电压 2） 解： 3）选?c=70o， 4） 未超过电流安全工作范围。 5） 6） 7） 8） 9） End 图 6.4.1 在低频和高频工作时的发射极电流脉冲波形 1 发射极电流 注意：晶体管的静态特性是在直流或低频的情况下测得的，因此不能用静态特性曲线来解决晶体管在高频大信号工作的问题。 实验证明：正脉冲的通角 与频率无关，负脉冲的通角 式中 为少数载流子由发射极扩散到集电极的渡越时间。 图 6.4.2 晶体管在高频大信号工作时各极 电流脉冲波形的关系 2 集电极/基极电流 集电极电流：若频率不超过手册上给定的该型号晶体管的最高工作频率，并且工作于欠压或临界状态，则集电极电流波形实际上仍为尖顶余弦脉冲。只有在频率的高端，脉冲顶部