第一章半导体二极管和三极管精选.ppt

(1-*) IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 * * * * (1-*) 三、 半导体二极管 (1)、基本结构 PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 (1-*) PN结 面接触型 P N (1-*) (2)、伏安特性 U I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压U(BR) (1-*) (3)、主要参数 1）最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2）反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VWRM一般是VBR的一半。 (1-*) 3）反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性包括整流、限幅、保护以及在数字电路中作为开关元件等。 (1-*) §1.3 特殊二极管 一、 稳压二极管 U I UZ IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 + - (1-*) 稳压二极管的参数 （1）稳定电压 UZ （2）电压温度系数?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的的系数。 （3）动态电阻 (1-*) （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、 Izmin。 （5）最大允许功耗 (1-*) 二、 光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I V 照度增加 (1-*) 三、 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 (1-*) §1.4 半导体三极管 一、 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 (1-*) B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 (1-*) B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 (1-*) 二、 电流放大原理 B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 (1-*) B E C N N P EB RB Ec IE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE (1-*) IB=IBE-ICBO?IBE IB B E C N N P EB RB Ec IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE (1-*) ICE与IBE之比称为电流放大倍数 要使三极管能放大电流（具有放大作用），必须使发射结正偏，集电结反偏。 (1-*) B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 (1-*) 三、 特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 (1-*) （1）输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V, 锗管UBE?0.2~0.3V。 (1-*) （2）输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 (1-*) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。（发射结、集电结均正向偏置） (1-*) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死