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N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SVF4N60D(F)(T)(K)(M)(MJ)说明书_1.2-L12
SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书
4A 、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF4N60D/F/T/K/M/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应
晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制
造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导
通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换
器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
∗ 4A ，600V，R =2.0 Ω@V =10V
DS(on) （典型值） GS
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
命名规则
产品规格分类
产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装
SVF4N60T TO-220-3L SVF4N60T 无铅 料管
SVF4N60F TO-220F-3L SVF4N60F 无铅 料管
SVF4N60K TO-262-3L SVF4N60K 无铅 料管
SVF4N60D TO-252-2L SVF4N60D 无铅 料管
SVF4N60DTR TO-252-2L SVF4N60D 无铅 编带
SVF4N60MJ TO-251J-3L SVF4N60MJ 无铅 料管
SVF4N60M TO-251D-3L SVF4N60M 无铅 料管
版本号：1.2 2012.01.18
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SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书
极限参数(除非特殊说明，T =25°C)
C
参数范围
参 数 名称 符号 SVF4N SVF4N SVF4N SVF4N SVF4N 单位
60T 60F 60D/M 60MJ 60K
漏源电压 VDS 600 V
栅源电压 VGS ±30 V
T =25°C 4.0
C
漏极电流
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