ZXT10P20DE6TA;ZXT10P20DE6TC;中文规格书,Datasheet资料31.pdfVIP

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2018-05-02 发布于贵州
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ZXT10P20DE6TA;ZXT10P20DE6TC;中文规格书,Datasheet资料31.pdf

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ZXT10P20DE6TA;ZXT10P20DE6TC;中文规格书,Datasheet资料31

ZXT10P20DE6 SuperSOT™ 20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR SUMMARY V =-20V; R = 96m ; I = -2.5A CEO SAT C DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. SOT23-6 FEATURES • Low Equivalent On Resistance • Extremely Low Saturation Voltage • hFE characterised up to 6A • I =2.5A Continuous Collector Current C • SOT23-6 package APPLICATIONS • DC - DC Converters • Power Management Functions • Power switches • Motor control ORDERING INFORMATION C C DEVICE REEL SIZE TAPE WIDTH QUANTITY C C (inches) (mm) PER REEL B E ZXT10P20DE6TA 7 8mm embossed 3000 units Top View ZXT10P20DE6TC 13 8mm embossed 10000 units DEVICE MARKING 718 ISSUE 1 - SEPTEMBER 2000 / 1 ZXT10P20DE6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL LIMIT UNIT Collecto