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官方说明书 FAIRCHILD FQS4410 Single N-Channel, Logic Level, Power MOSFET 说明书
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4 May 2000
4
S
Q TM
F QFETQFET
QFETQFET
FQS4410
Single N-Channel, Logic Level, Power MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 10A, 30V, RDS(on) = 0.0135Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 21 nC)
planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 145 pF)
This advanced technology has been especially tailored to • Fast switching
minimize on-state resistance, provide superior switching • Improved dv/dt capability
performance, and withstand high energy pulse in the • 175°C maximum junction temperature rating
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for low voltage applications such as DC/DC
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