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第四章 MOS 模拟集成电路基础 §4.1 场效应晶体管 §4.1场效应晶体管 4.1.1 JFET的结构及基本工作原理 4.1.1 JFET的结构及基本工作原理 (2) uDS对iD的影响 4.1.2 JFET伏安特性曲线 2 输出特性曲线 4.1.3 绝缘栅场效应管 1 E型N MOSFET的工作原理 4.1.3 绝缘栅场效应管 4.1.3 绝缘栅场效应管 (4)输出特性 (4)输出特性 4.1.3 绝缘栅场效应管 4.1.4 FET小信号等效模型 4.1.4 FET小信号等效模型 §4.2 JFET放大电路 4.2.1 JFET三种基本组态放大电路及性能比较 4.2.2 JFET共源放大电路 4.2.3???JFET共漏放大电路 4.2.4 JFET共栅放大电路 ⑵交流参数计算： 4.2.5 JFET共源差动放大电路 §4.2 JFET放大电路 §4.2 JFET放大电路 §4.3 MOS模拟集成电路基础 §4.3 MOS模拟集成电路基础 §4.3 MOS模拟集成电路基础 1 MOS电流源 2 MOS单级放大器 2 MOS单级放大器 2 MOS单级放大器 2 MOS单级放大器 3 MOS源极耦合对差动放大器 4 CMOS互补输出级 4 CMOS互补输出级 简单的CMOS集成运算放大器 简单的CMOS集成运算放大器 图（a） 图（b）MOS管低频小信号等效电路 + uGS _ + uBS _ + uDS _ + uGS _ + uDS _ D2 S2 G2 D1 S1 G1 G1 D1 + ui - + uo - uGS2 uBS2 uDS2 + uGS _ + uBS _ + uDS _ + uGS _ + uDS _ D2 S2 G2 D1 S1 G1 + ui - + uo - uGS2=0 uBS2 uDS2 + ui - + uo - + uGS _ + uBS _ + uDS _ + uGS _ + uDS _ S2 S1 D2 D1 + ui - + ui - + uo - + uo - + uGS _ + uBS _ + uDS _ + uGS _ + uDS _ i1 i2 i4 io D2 D1 S1 S2 + ui - + uo - 图6.1.15共源CMOS输出级 S1 S2 S3 S4 iD3 iD1 iD2 * §4.1 场效应晶体管 §4.2 JFET放大电路 休息1 休息2 §4.3 MOS模拟集成电路基础 返回 引言 4.1.1 JFET的结构及基本工作原理 休息1 休息2 4.1.2 JFET伏安特性曲线 返回 4.1.3 绝缘栅场效应管 4.1.4 FET小信号等效模型 休息1 休息2 引言 返回 S 源极 D 漏极 G 栅极 G S D G S D G 栅极 D 漏极 S源极 休息1 休息2 返回 G S D 休息1 休息2 返回 G S D iD 休息1 休息2 N 返回 IDSS 击穿区 I区 II区 III区 6V 休息1 休息2 返回 IDSS 6V 击穿区 I区 III区 II区 休息1 休息2 返回 休息1 休息2 返回 衬底引线 P SiO2 N+ N+ S G D E型N MOSFET E型P MOSFET D型N MOSFET D型P MOSFET 返回 …… …… …… …… …… …… …… …… …… …… N+ S G D P N+ iD iD iD iD 返回 N+ S G D P N+ …… …… …… …… iD iD iD iD UGS(th) 返回 N+ S G D P N+ …… …… …… …… uGS uGD=uGS-uDS uDS uGS1 uGS2 uGS3 uGS4 返回 uGS uGD=uGS-uDS uDS N+ S G D P N+ …… …… …… …… =UGS（th） uGS1 uGS2 uGS3 uGS4 返回 N+ S G D P N+ …… …… …… …… ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ 继续 UGS(off) 返回 休息1 休息2 uGS gmuGS uDS rdS 返回 uGS gmuGS uDS rdS 休息1 休息2 gmuGS rdS uGS CGS CDS CGD + uDS - 返回 4.2.1 JFET三种基本组态放大电路及性能比较 4.2.2 JFET共源放大电路 休息1 休息2 4.2.3???JFET共漏放大电路 返回 4.2.4 JFET共栅放大电路 4.