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2018-05-05 发布于浙江
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/file/2607595 From ManualL ManualL collects and classifies the global product instrunction manuals to help users access anytime and anywhere, helping users make better use of products. Home: / Chinese: / This Manual: /file/2607595 M29W160ET M29W160EB 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory FEATURES SUMMARY ■ SUPPLY VOLTAGE Figure 1. Packages – VCC = 2.7V to 3.6V for Program, Erase and Read ■ ACCESS TIMES: 70, 90ns ■ PROGRAMMING TIME – 10µs per Byte/Word typical ■ 35 MEMORY BLOCKS – 1 Boot Block (Top or Bottom Location) – 2 Parameter and 32 Main Blocks ■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER – Embedded Byte/Word Program algorithms ■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES TSOP48 (N) 12 x 20mm – Read and Program another Block during Erase Suspend ■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND – Faster Production/Batch Programming ■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION FBGA MODE ■ COMMON FLASH INTERFACE – 64 bit Security Code TFBGA48 (ZA) 6 x 8mm