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官方说明书IDT IDT71V2576S Data Sheet.pdf

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官方说明书IDT IDT71V2576S Data Sheet

IDT IDT71V2576S Data Sheet /file/2631481 From ManualL ManualL collects and classifies the global product instrunction manuals to help users access anytime and anywhere, helping users make better use of products. Home: / Chinese: / This Manual: /file/2631481 查询IDT71V2576S供应商 128K X 36, 256K X 18 IDT71V2576S 3.3V Synchronous SRAMs IDT71V2578S 2.5V I/O, Pipelined Outputs, IDT71V2576SA Burst Counter, Single Cycle Deselect IDT71V2578SA 128K x 36, 256K x 18 memory configurations The IDT71V2576/78 are high-speed SRAMs organized as 128K x Supports high system speed: 36/256K x 18. The IDT71V2576/78 SRAMs contain write, data, address Commercial and Industrial: and control registers. Internal logic allows the SRAM to generate a self- – 150MHz 3.8ns clock access time timed write based upon a decision which can be left until the end of the write – 133MHz 4.2ns clock access time cycle. input selects interleaved or linear burst mode The burst mode feature offers the highest level of performance to the Self-timed write cycle with global write control (), byte write system designer, as the IDT71V2576/78 can provide four