五天搞定自考模拟、数字及电力电子技术32.pptVIP

* * * * * * * * 模拟、数字电子及电力电子 第一天 目录 第一章 模拟电子基础知识 第二章 直接耦合放大器及 反馈 要点一：半导体 第一章 基础知识 杂质半导体分：电子型（N型）半导体　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　空穴型（P型）半导体 N 型半导体：在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的五价　　 　　　　　　元素。自由电子浓度大大增加的杂质半导体，　　　 　　　　　　也称为电子半导体。 P 型半导体：在硅（或锗）半导体晶体中，掺入微量的三价　　　 　　　　　　元素。空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称　　　　　 　　　　　　为空穴半导体。 Ｎ 型半导体中空穴是少子，电子是多子。 Ｐ 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 1 ．空穴为少子的的半导体称为 A．P型半导体 B．N型半导体 C．纯净半导体 D．金属导体 2 ．本征半导体硅或者锗中掺入微量三价元素后，其中多数载流子是 A．自由电子 B．空穴 C．正离子 D．负离子 3 ． N型半导体的多数载流子是 A．自由电子 B．空穴 C．正离子 D．负离子 4 ． 杂质半导体中的少数载流子的浓度取决于 A．掺杂浓度 B．制造工艺 C．晶体结构 D．温度 （Ｂ） （Ｂ） （Ａ） （Ｄ） 要点二：二极管 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动。 （１）PN结的形成 漂移运动和扩散运动的方向相反。 二极管正向导通状态时，其两端电压： 硅材料：0.6---0.8V 锗材料：0.1---0.3V （2）PN结的单向导电性 PN结外加正向电压： PN结P端接高电位，N端接低电位，称　　 　　　　　　　　　PN结外加正向电压，又称PN结正向偏置，　 　　　　　　　　　简称为正偏。 PN结外加反向电压： PN结P端接低电位，N端接高电位，称　　 　　　　　　　　　PN结外加反向电压，又称PN结反向偏　　 　　　　　　　　　置，简称为反偏。 结论： PN结外加正向电压导通，加反向电压截止，即PN结具有单向导电性 电流 二极管的结构及符号 有关二极管单向导电性的说法正确的是（ ） A. 正偏时，通过的电流小，呈现的电阻大；反偏时，通过的电流大，呈现的电阻小 B. 正偏时，通过的电流大，呈现的电阻大；反偏时，通过的电流小，呈现的电阻小 C. 正偏时，通过的电流小，呈现的电阻小；反偏时，通过的电流大，呈现的电阻大 D. 正偏时，通过的电流大，呈现的电阻小；反偏时，通过的电流小，呈现的电阻大 D 2. 图中二极管为理想器件，VD1、VD2的导通情况为（ ） A. VD1截止，VD2导通 B. VD1导通，VD2导通 C. VD1截止，VD2截止 D. VD1导通，VD2截止 A ３. 二极管的最主要特征是 。 ４. 硅材料二极管导通时，其两端电压为 伏， 锗材料二极管导通时，其两端电压为 伏。 ５. 半导体二极管的反向饱和电流越 ，说明该二 极管的单向导电性越好 ６. 硅二极管的死区电压约为 伏，锗二极管的死区电压约为 伏。 ７．全波及桥式整流情况下，输出电压平均值_____________ 8.限流电阻R的选择应满足两个条件，一是稳压管流过最小电流应 ____________稳定电流，二是稳压管流过最大电流应_______最大 稳定电流。 单向导电性 0.6----0.8 0.1----0.3 小 0.5 0.1 大于等于 小于 要点三：半导体三极管及基本放大电路 三极管实现放大的外部条件是：发射结必须加正向电压（正偏），集电结必须加反向电压（反偏）。 符号中发射极上的箭头方向，表示发射结正偏时电流的流向。 一般把三极管的输出特性分为3个工作区域，分别介绍。 ① 截止区 （a）发射结和集电结均反向偏置； （b） =0, 近似为0； （c）三极管的集电极和发射极之间电阻很大，三极管相当于 一个开关断开。 ② 放大区:输出特性曲线近似平坦的区域称为放大区。 （a）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置 （b）集电极电流 几乎仅决定于基极电流 ，即 而与 无关。 ③ 饱和区 （a）三极管的发射结和集电结均正向偏置； （b）三极管的电流放大能力下降，通常有 β ； （c）UCE的值很小，称此时的电压UCE