官方说明书ON Semiconductor NTMD4102PR2 数据手册.pdfVIP

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2018-11-30 发布于浙江
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官方说明书ON Semiconductor NTMD4102PR2 数据手册.pdf

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官方说明书ON Semiconductor NTMD4102PR2 数据手册

ON Semiconductor NTMD4102PR2 handbook /file/2682060 From ManualL ManualL collects and classifies the global product instrunction manuals to help users access anytime and anywhere, helping users make better use of products. Home: / Chinese: / This Manual: /file/2682060 查询NTK3043N供应商 -20 V, P-Channel, SO-8 Dual This P-Channel device was designed using ON Semiconductor’s leading edge trench technology for low RDS(on) performance in the SO-8 dual package for high power and current handling capability. The low RDS(on) performance is particularly suited for game systems, notebook and desktop computers, and printers. VBR(DSS) = -20 VOLTS Features Benefits RDS(on) (max) = 19 m @ -10 V • Leading -20 V Trench for Low RDS(on) ID(max) (Note 1) = -8.5 A • SO-8 Package Provides Excellent Thermal Performance RDS(on) (max) = 30 m @ -4.5 V • Surface Mount SO-8 Package Saves Board Space ID(max) (Note 1) = -6.5 A • Pb Free Package for Green Manufacturing Applications P-Channel MOSFET • Load/Power Management S • Battery Switching for Multi Cell Li-Ion • Buck-Boost Synchronous Rectification