官方说明书ON Semiconductor NTMFS4833N 数据手册.pdfVIP

下载本文档

34
0
约4.39万字
约 8页
2018-05-11 发布于浙江
举报
版权申诉

官方说明书ON Semiconductor NTMFS4833N 数据手册.pdf

1、本文档共8页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

官方说明书ON Semiconductor NTMFS4833N 数据手册

NTMFS4833N Power MOSFET 30 V, 191 A, Single N−Channel, SO−8 FL Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • These are Pb−Free Devices* Applications • CPU Power Delivery V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX • DC−DC Converters 2.0 m @ 10 V • Low Side Switching 30 V 191 A 3.0 m @ 4.5 V MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated) J Parameter Symbol Value Unit D (5,6) Drain−to−Source Voltage VDSS 30 V Gate−to−Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain T = 25°C ID 26 A A G (4) Current RJA (Note 1) T = 85°C 19 A Power Dissipation T = 25°C P 2.35 W