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官方说明书ROHM RUM002N05 说明书
1.2V Drive Nch MOSFET
RUM002N05
Structure Dimensions (Unit : mm)
Silicon N-channel MOSFET VMT3
Features
1) High speed switing.
2) Small package(VMT3).
3)Ultra low voltage drive(1.2V drive).
Abbreviated symbol : RH
Application
Switching
Packaging specifications Inner circuit
Package Taping (3)
Type Code T2L
Basic ordering unit (pieces) 8000
RUM002N05 ∗1
∗2
Absolute maximum ratings (Ta = 25C) (1) (2)
Parameter Symbol Limits Unit (1) GATE
(2) SOURCE ∗1 BODY DIODE
Drain-source voltage VDSS 50 V (3) DRAIN ∗2 ESD PROTECTION DIODE
Gate-source voltage VGSS 8 V
Continuous ID 200 mA
Drain current
Pulsed IDP *1*1 800 mA
Source current Continuous IS 125 mA
(Body Diode) Pulsed ISP *1*1 800 mA
Power
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