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2018-05-11 发布于浙江
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官方说明书ST LET9060C 数据手册.pdf

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官方说明书ST LET9060C 数据手册

ST LET9060C handbook /file/2624638 From ManualL ManualL collects and classifies the global product instrunction manuals to help users access anytime and anywhere, helping users make better use of products. Home: / Chinese: / This Manual: /file/2624638 查询LET9060C供应商 LET9060C RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology PRELIMINARY DATA N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETs • EXCELLENT THERMAL STABILITY • COMMON SOURCE CONFIGURATION • POUT = 60 W WITH 17.3 dB gain @ 945 MHz • BeO FREE PACKAGE • HIGH GAIN M243 • ESD PROTECTION epoxy sealed ORDER CODE BRANDING LET9060C LET9060C DESCRIPTION The LET9060C is an N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor, designed for high gain broadband, commercial and industrial applications. It operates at 28 V in common source PIN CONNECTION mode at frequencies up to 1.0 GHz. LET9060C boasts the excellent gain, line