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2018-05-11 发布于浙江
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官方说明书ST 74V1G00 说明书.pdf

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官方说明书ST 74V1G00 说明书

ST 74V1G00 Manual /file/2601185 From ManualL ManualL collects and classifies the global product instrunction manuals to help users access anytime and anywhere, helping users make better use of products. Home: / Chinese: / This Manual: /file/2601185 74V1G00 SINGLE 2-INPUT NAND GATE HIGH SPEED: tPD = 3.7ns (TYP.) at VCC = 5V LOW POWER DISSIPATION: I = 1µA(MAX.) at T =25°C CC A HIGH NOISE IMMUNITY: VNIH = VNIL = 28% VCC (MIN.) POWER DOWN PROTECTION ON INPUTS SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE: SOT23-5L SOT323-5L |IOH| = IOL = 8mA (MIN) at VCC = 4.5V BALANCED PROPAGATION DELAYS: tPLH ≅ tPHL ORDER CODES OPERATING VOLTAGE RANGE: PACKAGE T R VCC(OPR) = 2V to 5.5V SOT23-5L 74V1G00STR IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY SOT323-5L 74V1G00CTR DESCRIPTION The 74V1G00 is an advanced high-speed CMOS Power down protection is provided on all inputs SINGLE 2-INPUT NAND GATE fabricated with and 0 to 7V can be accepted on inputs with no sub-micron silicon gate and double-layer metal regard to the supply voltage. This device can be wiring C2MOS technology.