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官方说明书ST M36D0R6040T0 M36D0R6040B0 数据手册
ST M36D0R6040T0 M36D0R6040B0 handbook
/file/2635526
From ManualL
ManualL collects and classifies the global product
instrunction manuals to help users access anytime and
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This Manual: /file/2635526
查询M36D0R6040B0ZAI供应商
M36D0R6040T0
M36D0R6040B0
64 Mbit (4Mb x16, Multiple Bank, Page) Flash Memory
and 16 Mbit (1Mb x16) PSRAM, Multi-Chip Package
FEATURES SUMMARY
■ MULTI-CHIP PACKAGE Figure 1. Package
– 1 die of 64 Mbit (4Mb x 16) Flash Memory
– 1 die of 16 Mbit (1Mb x 16) Pseudo SRAM
■ SUPPLY VOLTAGE
– VDDF = VDDP = 1.7V to 1.95V
■ LOW POWER CONSUMPTION FBGA
■ ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 20h
– Device Code (Top Flash Configuration),
M36D0R6040T0: 8810h
– Device Code (Bottom Flash Stacked TFBGA67 (ZAI)
Configuration), M36D0R6040B0: 8811h 12 x 8mm
■ PACKAGE
– Compliant with Lead-Free Soldering
Processes
– Lead-Free Versions
FLASH MEMORY ■ SECURITY
■ PROGRAMMING TIME – 128-bit user programmable OTP cells
– 8µs by Word typical for Fast Factory – 64-bit unique device number
Program
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